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2N7002T1-E3

2N7002T1-E3

Transistor canal N 2N7002T1-E3, SOT-23, 60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.115A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 72. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

0.21€
Quantité en stock: 1704
2PG001

2PG001

Transistor canal N 2PG001, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220D-A1. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 580pF. C (out): 86pF. Courant de collecteur: 30A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Pilote d'écran plasma. Ic(puls): 60.4k Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). Td(off): 120ns. Td(on): 87 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Type de canal: N...

12.92€
Quantité en stock: 5
2PG011

2PG011

Transistor canal N 2PG011, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220D-A1. Tension collecteur/émetteur Vceo: 540V. C (in): 1200pF. C (out): 125pF. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Ic(puls): 230A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). Td(off): 200 ns. Td(on): 75 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Type de canal: N...

9.18€
Quantité en stock: 6
2SA1012

2SA1012

Transistor PNP 2SA1012, 5A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 60 MHz. Fonction: S-L, Low-sat. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2562. Type de transistor: PNP...

0.92€
Quantité en stock: 8
2SA1013

2SA1013

Transistor PNP 2SA1013, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 50 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: A1013. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2383. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 6V...

0.33€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 4304
2SA1013-Y

2SA1013-Y

Transistor PNP 2SA1013-Y, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 50 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Marquage sur le boîtier: A1013-Y. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2383. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 6V...

0.32€
Quantité en stock: 5550
2SA1015GR

2SA1015GR

Transistor PNP 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92, 2-5F1B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. FT: 80 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC1162. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.20€
Dernières pièces disponibles
Quantité en stock: 79
2SA1015Y

2SA1015Y

Transistor PNP 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. FT: 80 MHz. Fonction: hFE.120-240. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: 1015 Y. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC1815Y. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -...+125°C. Température: +125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0932€
Quantité en stock: 8940
Minimum: 10
2SA1117

2SA1117

Transistor PNP 2SA1117, TO-3, 200V, 17A, 17A, 200V. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 200V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 17A. Courant de collecteur: 17A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. FT: 20 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fonction: S-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: -.. Type de transistor: PNP...

15.26€
Produit obsolète
En rupture de stock
Equivalence disponible
2SA1123

2SA1123

Transistor PNP 2SA1123, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 130. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: A1123. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial planer type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V...

1.00€
Quantité en stock: 10
2SA1127

2SA1127

Transistor PNP 2SA1127, TO-92, 60V/55V, 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/55V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

0.30€
Quantité en stock: 20
2SA1141

2SA1141

Transistor PNP 2SA1141, 10A, SOT-199, SOT-199, 115V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 90 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: A1141. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: PNP...

8.76€
Produit obsolète
En rupture de stock
2SA1145

2SA1145

Transistor PNP 2SA1145, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 200 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: A1145 O. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 9mm. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2705. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V...

1.28€
Dernières pièces disponibles
Quantité en stock: 1