Rechercher "transistor j107"

Nous vous proposons une sélection de 1000+ produits pouvant correspondre à votre recherche de "transistor j107". Vous pouvez resserrer cette recherche par types de catégories, ci-dessous:

BC550CG

BC550CG

Transistor NPN BC550CG, TO-92, 100mA, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (Ammo Pack). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (in): 9pF. C (out): 3.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Equivalences: BC550CG, BC550CBU. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Marquage du fabricant: BC550C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560C. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0964€
+3359 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1221
Minimum: 10
BC556B

BC556B

Transistor PNP BC556B, TO-92, TO-226, -65V, 65V, 100mA, 100mA, TO-92, 80V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur VCEO: -65V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Bande passante MHz: 100MHz. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Conditionnement: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE min.: 200. Gain hFE mini: 200. Gain hfe: 200. Ic(puls): 200mA. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC556B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC546B. Série: BC. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 65V. Tension base / collecteur VCBO: -80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de conditionnement: -. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

0.0419€
+12979 rapidement
Quantité en stock: 1126
Minimum: 10
BC556BG

BC556BG

Transistor PNP BC556BG, -65V, TO-92, -0.1A, TO-226AA, 65V, 100mA. Tension collecteur-émetteur VCEO: -65V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: -0.1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 280 MHz. Fréquence maxi: 280MHz. Marquage du fabricant: BC556B. Nombre de bornes: 3. Polarité: PNP. Puissance: 0.625W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: transistor PNP...

0.21€
+3333 rapidement
Quantité en stock: 7599
BC556C

BC556C

Transistor PNP BC556C, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC546C. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

0.0590€
Quantité en stock: 930
Minimum: 10
BC557A

BC557A

Transistor PNP BC557A, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo-Pak ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 110. Ic(puls): 200mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC547A. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0427€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 927
Minimum: 10
BC557B

BC557B

Transistor PNP BC557B, TO-92, TO-226, -45V, 45V, 100mA, 100mA, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Bande passante MHz: 150MHz. C (out): 6pF. Conditionnement: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. FT: 150 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE min.: 200. Gain hFE mini: 250. Gain hfe: 200. Ic(puls): 200mA. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC557B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC547B. Série: BC. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension base / collecteur VCBO: -50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Type de conditionnement: -. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0379€
+7737 rapidement
Quantité en stock: 270
Minimum: 10
BC557BG

BC557BG

Transistor PNP BC557BG, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 320 MHz. Marquage du fabricant: BC557B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.15€
Quantité en stock: 5390
Minimum: 5
BC557C

BC557C

Transistor PNP BC557C, TO-92, -50V, 100mA, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: -50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (in): 10pF. C (out): 3.5pF. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA, 0.1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fréquence: 150MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC547C. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Type de conditionnement: -. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0477€
+8283 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 4389
Minimum: 10
BC557CBK

BC557CBK

Transistor PNP BC557CBK, TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Marquage du fabricant: BC557B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.0829€
Quantité en stock: 831
Minimum: 10
BC557CG

BC557CG

Transistor PNP BC557CG, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 320 MHz. Marquage du fabricant: BC557C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.11€
Quantité en stock: 3801
Minimum: 10
BC558B

BC558B

Transistor PNP BC558B, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation et amplificateur AF. Fréquence: 150MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 200mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V...

0.0388€
+1000 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 943
Minimum: 10
BC559A

BC559A

Transistor PNP BC559A, TO-92, TO-226AA, 30 v, 200mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: C559A. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C...

0.0296€
Quantité en stock: 47
Minimum: 25
BC559C

BC559C

Transistor PNP BC559C, TO-92, 0.1A, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Gain hfe: 400. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Transistor Darlington?: non. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: PNP...

0.0519€
+1000 rapidement
Quantité en stock: 2839
Minimum: 10
BC560B

BC560B

Transistor PNP BC560B, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 200...450. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC550B. Type de transistor: PNP...

0.19€
Produit obsolète
En rupture de stock
Equivalence disponible
BC560C

BC560C

Transistor PNP BC560C, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 2.5pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA, 0.1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Fréquence: 150MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 380. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC550C. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0651€
+2 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 463
Minimum: 10
BC560CG

BC560CG

Transistor PNP BC560CG, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA, 100mA, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fonction: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 100. Marquage du fabricant: BC560C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC550C. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0717€
+15000 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 262
Minimum: 10
BC635

BC635

Transistor NPN BC635, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 130 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

0.0629€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 56
Minimum: 10
BC636

BC636

Transistor PNP BC636, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Date de production: 1997.04. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 70 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

0.0465€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1210
Minimum: 10
BC637

BC637

Transistor NPN BC637, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 130 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

0.0706€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 97
Minimum: 10