Transistor PNP BC556C, 100mA, TO-92, TO-92, 80V

Transistor PNP BC556C, 100mA, TO-92, TO-92, 80V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0589€
50-99
0.0494€
100+
0.0421€
Quantité en stock: 990
Minimum: 10

Transistor PNP BC556C, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC546C. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Diodes Inc. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 20:34

Documentation technique (PDF)
BC556C
23 paramètres
Courant de collecteur
100mA
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension collecteur/émetteur Vceo
80V
Dissipation de puissance maxi
0.5W
FT
150 MHz
Gain hFE maxi
800
Gain hFE mini
420
Ic(puls)
200mA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) BC546C
Technologie
'Epitaxial Planar Transistor'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.3V
Type de transistor
PNP
Vcbo
80V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Diodes Inc
Quantité minimum
10