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AO4805

Transistor canal P AO4805, SO8. Boîtier: SO8. : 'enhanced'. Charge: 30nC. Courant de drain: -7A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 1.3W. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±25V. Type de transistor: P-MOSFET x2...

AO4813

Transistor canal P AO4813, SO8. Boîtier: SO8. Charge: 9.6nC. Courant de drain: -5.6A. Montage/installation: SMD. Nombre de sorties: 2. Polarité: unipolaire. Puissance: 1.3W. RoHS: oui. Technologie: MOSFET. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: P-MOSFET x2...

AO4828

Transistor canal N AO4828, SO, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO-8, 60V. Boîtier: SO. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 46m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. : 'enhanced'. Charge: 4.3nC. Courant de drain: 4.5A. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: Transistor MOSFET. Rds (ON) très faible. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Nombre de sorties: 2. Puissance: 1.28W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 60V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source VGS (off) min.: 4.7V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 27.5us. Type de canal: N. Type de transistor: N-MOSFET x2. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

AOD2910

Transistor canal N AOD2910, TO252. Boîtier: TO252. Charge: 7nC. Courant de drain: 21.5A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 53.5W. RoHS: oui. Technologie: MOSFET. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

AOD403

Transistor canal P AOD403, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4360pF. C (out): 1050pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 100W. Id (T=100°C): 65A. Id(imp): 200A. Idss (min): 0.01uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 5.1M Ohms. Td(off): 51 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 39.5 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V...

AOD405

Transistor canal P AOD405, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 920pF. C (out): 190pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 60W. Id (T=100°C): 18A. Id(imp): 40A. Idss (min): 0.003uA. Marquage sur le boîtier: D405. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 24.5m Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) AOD408. Td(off): 20 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 21.4 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) min.: 1.2V...

AOD408

Transistor canal N AOD408, 18A, 18A, 5uA, 13.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 13.6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1040pF. C (out): 180pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 60W. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D408. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) AOD405. Td(off): 17.4 ns. Td(on): 4.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

AOD409

Transistor canal P AOD409, D-PAK ( TO-252 ), 26A, 5uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. : 'enhanced'. C (in): 2977pF. C (out): 241pF. Charge: 22.2nC. Conditionnement: rouleau. Courant de drain: -18A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Id (T=100°C): 18A. Id(imp): 60A. Idss (min): 0.003uA. Marquage sur le boîtier: D409. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 30W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 32m Ohms. Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: -60V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.2V...

AOD442

Transistor canal N AOD442, TO252, TO-252AA. Boîtier: TO252, TO-252AA. Charge: 24.2nC. Courant de drain: 27A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 60W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 20M Ohms. Technologie: MOSFET. Tension drain - source: 60V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

AOD444

Transistor canal N AOD444, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 47m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 450pF. C (out): 61pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 20W. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 16 ns. Td(on): 4.2 ns. Technologie: 'Latest Trench Power MOSFET technology'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 27.6 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) min.: 1V...

AOD480

Transistor canal N AOD480, TO252, TO-252AA. Boîtier: TO252, TO-252AA. Charge: 3.5nC. Courant de drain: 18A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 21W. RoHS: oui. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

AOD518

Transistor canal N AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 54A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 951pF. C (out): 373pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 1W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC en informatique. Id(imp): 96A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: RDS(on) très faible à 10VGS. Td(off): 18.5 ns. Td(on): 6.25 ns. Technologie: 'Latest Trench Power MOSFET technology'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 10.2 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) min.: 1.8V...

AOD5T40P

Transistor canal N AOD5T40P, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 3.9A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 400V. C (in): 273pF. C (out): 16pF. Dissipation de puissance maxi: 52W. Id(imp): 15A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 18 ns. Td(on): 17 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 172ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

AOD9N50

Transistor canal N AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.71 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 500V. : 'enhanced'. C (in): 962pF. C (out): 98pF. Charge: 13.1nC. Courant de drain: 5.7A. Dissipation de puissance maxi: 178W. Id(imp): 27A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 178W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±30V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 332ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V...

AON6246

Transistor canal N AON6246, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V. Id (T=100°C): 51A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 5.3m Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 2850pF. C (out): 258pF. Dissipation de puissance maxi: 83W. Fonction: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Id(imp): 170A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V...

AON6512

Transistor canal N AON6512, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. Id (T=100°C): 115A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 1.9m Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3430pF. C (out): 1327pF. Dissipation de puissance maxi: 83W. Fonction: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Id(imp): 340A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 33.8 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Latest Trench Power AlphaMOS technology'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 22 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

AOP605

AOP607

AOT10N60

Transistor canal N AOT10N60, TO220. Boîtier: TO220. Charge: 31nC. Courant de drain: 10A, 7.2A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 250W. RoHS: oui. Tension drain - source: 600V. Tension grille-source: ±30V. Type de transistor: N-MOSFET...

AOY2610E

Transistor canal N AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 7.7m Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1100pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 59.5W. Fonction: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: AOY2610E. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 22 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: Trench Power AlphaSGTTM technology. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V...

AP40T03GJ

Transistor canal N AP40T03GJ, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03 GP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

AP40T03GP

Transistor canal N AP40T03GP, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03 GP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 16 mS. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

AP40T03GS

Transistor canal N AP40T03GS, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Dissipation de puissance maxi: 31W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03GS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

AP4415GH

Transistor canal P AP4415GH, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 35V. C (in): 990pF. C (out): 220pF. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. Fonction: commutation rapide, convertisseur DC/DC. Id (T=100°C): 15A. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Td(off): 20 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...