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2SK904

2SK904

Transistor canal N 2SK904, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 800V. C (in): 900pF. C (out): 90pF. Dissipation de puissance maxi: 80W. Fonction: Commutation à grande vitesse. Id(imp): 12A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Samsung B4054-0018. Td(off): 150 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: V-MOS S-L. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V...

4.14€
Quantité en stock: 37
2SK941

2SK941

Transistor canal N 2SK941, 0.6A, 0.6A, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92MOD, 100V. Id (T=25°C): 0.6A. Idss (maxi): 0.6A. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD. Tension Vds(max): 100V. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Fonction: commande de relais, commande de moteur. Id(imp): 1.8A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

0.85€
Quantité en stock: 313
2SK956

2SK956

Transistor canal N 2SK956, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 800V. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 26A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

5.63€
Produit obsolète
En rupture de stock
Equivalence disponible
3DD13009K

3DD13009K

Transistor NPN 3DD13009K, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 4 MHz. Fonction: Fast-switching. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: D13009K. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tf(max): 0.7us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

1.87€
Quantité en stock: 184
3DD209L

3DD209L

Transistor NPN 3DD209L, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 120W. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: D209L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tf(min): 0.7us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V...

1.79€
Quantité en stock: 10
3LN01SS

3LN01SS

Transistor canal N 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. Id (T=25°C): 0.15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): SSFP. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 7pF. C (out): 5.9pF. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 150 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.3V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.4V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.27€
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Quantité en stock: 10
3SK293-TE85L-F

3SK293-TE85L-F

Transistor canal N 3SK293-TE85L-F, SOT-343, 12.5V. Boîtier: SOT-343. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 12.5V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30mA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: -. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: -. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: -. Température maxi: +125°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1V...

1.47€
Quantité en stock: 3229
A696

A696

Transistor PNP A696, TO-92, 45V/40V, 300mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V/40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

0.57€
Quantité en stock: 6
A743A

A743A

Transistor PNP A743A, TO-126, 80V, 1A. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 8W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 120 MHz. Marquage du fabricant: A743. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C...

1.20€
Quantité en stock: 7
AF379

AF379

Transistor PNP AF379, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Courant de collecteur: 20mA. Boîtier: SOT-39. Boîtier (selon fiche technique): SOT-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 13V. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. FT: 1250 MHz. Matériau semi-conducteur: GE. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP. Vcbo: 20V. Vebo: 0.3V...

0.62€
Quantité en stock: 33
AF4502C

AF4502C

Transistor MOSFET AF4502C. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Fonction: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2). Marquage sur le boîtier: 4502C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Type de canal: N-P...

2.77€
Quantité en stock: 240
ALF08N20V

ALF08N20V

Transistor canal N ALF08N20V, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: AUDIO POWER MOSFET. Idss (min): 10mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ALF08P20V. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

35.05€
Produit obsolète
En rupture de stock
Equivalence disponible
ALF08P20V

ALF08P20V

Transistor canal P ALF08P20V, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: AUDIO POWER MOSFET. Idss (min): 10mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ALF08N20V. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

22.04€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7
AO3400A

AO3400A

Transistor canal N AO3400A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22M Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 5.7A. Résistance passante Rds On: 22M Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. : 'enhanced'. C (in): 630pF. C (out): 75pF. Charge: 6nC. Courant de drain: 4.7A. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 1.4W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21.5 ns. Td(on): 3.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±12V. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 16.8 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

0.27€
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Quantité en stock: 675
AO3401A

AO3401A

Transistor canal P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. : 'enhanced'. C (in): 933pF. C (out): 108pF. Charge: 7nC. Courant de drain: -4A. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Fonction: faible charge d'entrée. Id (T=100°C): 3.8A. Id(imp): 25A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 1.4W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Tension de grille de fonctionnement aussi basse que 2.5V. Td(off): 42 ns. Td(on): 5.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±12V. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 21 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V...

0.41€
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Quantité en stock: 456