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2N5088

2N5088

Transistor NPN 2N5088, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (in): 10pF. C (out): 4pF. Courant de collecteur Ic [A]: 50mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 625W. FT: 50 MHz. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Fréquence: 50MHz. Gain hFE maxi: 900. Gain hFE mini: 300. Gain hfe: 300...900. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 35V...

0.21€
+25 rapidement
Quantité en stock: 6307
2N5109

2N5109

Transistor NPN 2N5109, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Courant de collecteur: 0.4A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 1.2GHz. Gain hFE maxi: 210. Gain hFE mini: 70. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 3V...

6.81€
Quantité en stock: 15
2N5210

2N5210

Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Conditionnement: -. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 30 MHz. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 2000. Vcbo: 50V. Vebo: 4.5V...

0.31€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 164
2N5401

2N5401

Transistor PNP 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 6pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 600mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Fréquence: 400MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 50. Gain hfe: 240. Marquage du fabricant: 2N5401. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 2N5401. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

0.0708€
+4010 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1825
Minimum: 10
2N5415

2N5415

Transistor PNP 2N5415, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (in): 75pF. C (out): 15pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 15 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Vebo: 4 v...

0.94€
Quantité en stock: 47
2N5416

2N5416

Transistor PNP 2N5416, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 75pF. C (out): 15pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 15 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse et amplificateur linéaire. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 6V...

1.21€
Quantité en stock: 8
2N5458

2N5458

Transistor canal N 2N5458, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (maxi): 9mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 25V. C (in): 4.5pF. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: Uni sym. IGF: 10mA. Idss (min): 2mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: transistor JFET pour usage général. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 7V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V. Tension grille/source Vgs: 3.5V. Type de canal: N. Type de transistor: JFET...

1.95€
En rupture de stock
Equivalence disponible
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2N5459

2N5459

Transistor canal N 2N5459, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (maxi): 16mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 25V. C (in): 2250pF. Dissipation de puissance maxi: 4mA. Fonction: Uni sym. IGF: 10mA. Idss (min): 4mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: transistor JFET pour usage général. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 4.5V. Trr Diode (Min.): 53 ns. Type de canal: N. Type de transistor: FET...

0.70€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1994
2N5484

2N5484

Transistor canal N 2N5484, 5mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (maxi): 5mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 25V. C (in): 5pF. C (out): 2pF. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Fonction: amplificateur VHF/UHF, RF. IGF: 10mA. Idss (min): 1mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: J-FET. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Vgs(th) min.: 3V...

1.19€
Quantité en stock: 49
2N5551

2N5551

Transistor NPN 2N5551, TO-92, 600mA, 0.6A, TO-92, 160V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (out): 6pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 600mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Ampli VIDEO.. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Fréquence: 100MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 80. Marquage du fabricant: 2N5551. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 160V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 6V...

0.0708€
+6400 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 933
Minimum: 10
2N5551BU

2N5551BU

Transistor NPN 2N5551BU, TO-92, 600mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 5551. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V...

0.21€
Quantité en stock: 801
2N5884

2N5884

Transistor PNP 2N5884, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 50A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N5886. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

5.87€
Quantité en stock: 143
2N5886

2N5886

Transistor NPN 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 500pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 50A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N5884. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

8.10€
Quantité en stock: 144
2N5886G

2N5886G

Transistor NPN 2N5886G, TO-3, 25mA. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Marquage du fabricant: 2N5886G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

18.94€
Quantité en stock: 175
2N6027G

2N6027G

Transistor unijonction 2N6027G. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Famille de composants: Transistor bipolaire, monocouche (PUT). Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: 2N6027G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V...

1.18€
+377 rapidement
Quantité en stock: 6228
2N6027G-TO92

2N6027G-TO92

Transistor unijonction 2N6027G-TO92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Boîtier: TO-92. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Fonction: PUT.. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor unijonction programmable. Température de fonctionnement: -50...+100°C...

0.77€
Quantité en stock: 294
2N6028

2N6028

Transistor unijonction 2N6028. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Boîtier: TO-92. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Fonction: PUT.. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor unijonction programmable. Température de fonctionnement: -50...+100°C...

0.51€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 151
2N6028G

2N6028G

Transistor unijonction 2N6028G. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Famille de composants: Transistor bipolaire, monocouche (PUT). Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: 2N6028G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V...

1.18€
Quantité en stock: 580