Transistor unijonction 2N6027G
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Transistor unijonction 2N6027G. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Famille de composants: Transistor bipolaire, monocouche (PUT). Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: 2N6027G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:43
2N6027G
12 paramètres
Boîtier (norme JEDEC)
TO-226AA
Boîtier
TO-92
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de collecteur Ic [A], max.
150mA
Dissipation maximale Ptot [W]
0.3W
Famille de composants
Transistor bipolaire, monocouche (PUT)
Marquage du fabricant
2N6027G
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Température maxi
+100°C.
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
40V
Produit d'origine constructeur
Onsemi