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06H-851X-00

06H-851X-00

Filtre EMI 06H-851X-00. Boîtier: Axial. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant nominal: 1A. Diamètre extérieur [mm]: 6.3mm. Dimensions: D6.3x10.5mm. Distance entre connexions (pas): -.. Famille de composants: Inductance à large bande. Groupe de produits du fabricant: 06 H-851. Hauteur extérieure [mm]: 6.3mm. Impédance à 100MHz: 700 Ohms. Impédance à 1GHz: -. Information: n/a. Largeur extérieure [mm]: 6.3mm. Longueur extérieure [mm]: 10.5mm. MSL: n/a. Nombre de bornes: 2. Particularités: -. RoHS: oui. Résistance maxi (tension continue): -. Série: 06-H. Taille: -. Température de fonctionnement: -. Température maxi: -. Tension de claquage: -. Tension nominale (V): -. Type de montage: THT. [A]: 1A...

0.88€
Quantité en stock: 928
6N137-VISH

6N137-VISH

Optocoupleur 6N137-VISH. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: DIP8. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Délai de coupure tf [µsec.]: 7 ns. Famille de composants: optocoupleur. Nombre de bornes: 8. Nombre de circuits: 1. RoHS: oui. Taux: 700 %. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 23 ns. Température maxi: +100°C.. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5.3 kV. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour transmission numérique. Type de sortie: numérique. [V]: TTL. [intensité mA]: 7.5mA...

2.36€
Quantité en stock: 139
BF606A

BF606A

Transistor PNP BF606A, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 700 MHz. Fonction: Oscillateur VHF. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v...

0.90€
Quantité en stock: 42
BF959

BF959

Transistor NPN BF959, 100mA, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 700 MHz. Fonction: VHF TV-IF. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 35. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 3V...

1.19€
Quantité en stock: 7
MPX5700D

MPX5700D

Capteur MPX5700D. Boîtier: CASE867-08. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dimensions: Ø16x5.6mm. Famille de composants: capteur de pression, pour mesure relative. Nombre de bornes: 6. Plage de mesure du signal, pression [Pa]: 0..700 kPa. Précision [%]: ±2.5 %. RoHS: oui. Sensibilité: 6.4mV/kPa. Température maxi: +125°C.. Type de sortie: Circuit en pont analogique avec amplificateur. [V]: +5.25V...

50.32€
Quantité en stock: 10
2SA970

2SA970

Transistor PNP 2SA970, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2240. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

0.44€
Quantité en stock: 167
2SC2240BL

2SC2240BL

Transistor NPN 2SC2240BL, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 350. Marquage sur le boîtier: C2240BL. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA970BL. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Température: +125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

2.03€
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Equivalence disponible
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2SC2713-GR

2SC2713-GR

Transistor NPN 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150mW. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: DG. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS DG. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1163. Tension de saturation VCE(sat): 300mV. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V...

3.47€
Quantité en stock: 285
2SC3199

2SC3199

Transistor NPN 2SC3199, TO-92, 150mA, 150mA, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Boîtier (norme JEDEC): -. C (out): 3.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. FT: 80 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 70. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: remplacement KTA1267. Température maxi: -.. Température: +125°C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.56€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 168
CLC5523IN

CLC5523IN

Amplificateur opérationnel CLC5523IN. Bande passante [MHz]: 125 MHz. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: DIP8. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Consommation de courant [mA]: 16mA. Famille de composants: Amplificateur opérationnel. Nombre de bornes: 8. Nombre de circuits: 1. RoHS: non. Température maxi: +85°C. Type de circuits: amplificateur opérationnel rapide. Vitesse de balayage [V/us]: 700/400V/us. [V]: -...

4.74€
Quantité en stock: 1
L-934MGC

L-934MGC

Diode LED L-934MGC, 3mm, vert, 2.9mm. Diamètre/dimensions: 3mm. Couleur: vert. Diamètre extérieur [mm]: 2.9mm. Angle de diffusion: 50°. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 3mm (T-1). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Demi-angle de rayonnement 2 Thêta 1/2 [°]: 50°. Famille de composants: LED. If [mA]: 20mA. Largeur extérieure [mm]: 3.2mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 568nm. Longueur d'onde: 568nm. Longueur extérieure [mm]: 4.6mm. Luminosité [mCd @ mA]: 700 mCd @ 20mA. Luminosité: 700mcd. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +85°C.. Tension de seuil Uf [V @ mA]: 2.1V @ 20mA. Type de lentille: transparente. Type: LED ronde. Épaisseur extérieure [mm]: 3.2mm...

0.88€
+516 rapidement
Quantité en stock: 118
STW5NB90

STW5NB90

Transistor canal N STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1250pF. C (out): 128pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: Alimentations à découpage (SMPS). Id(imp): 22.4A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 13 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 700 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.43€
Quantité en stock: 34
1056-0351

1056-0351

Microswitch 1056-0351. Charge maxi: 24VAC / 2A. Configuration: bouton poussoir sans levier. Courant de commutation: 2A. Dimensions des connexions: diamètre patte de connexion 1.5mm, longueur 3mm. Dimensions: 12.7x3.9x8.9mm. Famille d'article: capteur de fin de course. Mode de commutation: 1SPDT (ON-ON). Nombre de contacts: 1. Nombre de positions stables: 1. RoHS: oui. Type d'interrupteur: bouton-poussoir...

8.52€
Quantité en stock: 7
150-X-200-X-60

150-X-200-X-60

Coffret-boîtier métallique 150-X-200-X-60, 150mm. Largeur extérieure [mm]: 150mm. Configuration: pour poste de travail, gris. Couleur: noir. Famille de composants: Boîtier métallique pour électronique. Groupe de produits du fabricant: -. Hauteur extérieure [mm]: 60mm. Hauteur intérieure: -. Largeur intérieure: -. Matériau: Aluminium. Profondeur externe [mm]: 200mm. Profondeur intérieure: -. RoHS: oui...

26.31€
Quantité en stock: 7