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BAS16

BAS16-215

Diode BAS16-215, SOT-23, 0.215A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.215A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA...

BAS16GEG

Diode BAS16GEG, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 4A. Courant: 100mA. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation rapide. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 4ns, 6ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1V, 1.25V. Tension inverse maxi: 100V, 75V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

BAS16J

Diode BAS16J, SOD-323F, 0.25A. Boîtier: SOD-323F. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.25A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 50mA...

BAS16LT-1

Diode BAS16LT-1, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), 318–08, SOT–23 (TO–236AB), 75V. IF(AV): 200mA. IFSM: 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Cj: 2pF. Fonction: diode de commutation. IRM (max): 50uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: A6s. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS A6s, A6t. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 715mV. Trr Diode (Min.): 6 ns...

BAS16LT1G

Diode BAS16LT1G, SOT-23, 100V, 0.2A, 0.2A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. VRRM: 100V. Courant redressé moyen par diode: 0.2A. If [A]: 0.2A. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite inverse: 1uA / 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..30uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 36A. Information: -. MSL: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Série: BAS. Temps de récupération inverse (max): 6ns. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Tension de seuil maxi: 1.25V / 0.15A. Type de diode: Switching. Type de montage: SMD. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 6 ns. [V]: 0.855V @ 50mA...

BAS16V

Diode BAS16V...

BAS16W

Diode BAS16W...

BAS16WS

Diode BAS16WS...

BAS16WT

Diode BAS16WT...

BAS16X

Diode BAS16X...

BAS19GEG

Diode BAS19GEG, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 2.5A. Courant: 200mA, 0.625A. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.25W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 120V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

BAS20

Diode BAS20, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 2.5A. Courant: 200mA, 0.625A. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.25W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 6ns, 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1.25V. Tension inverse maxi: 200V. Type d'élément semi-conducteur: diode...

BAS20LT1G

Diode BAS20LT1G...

BAS21

Diode BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V. IF(AV): 200mA. IFSM: 625mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Cj: 5pF. Fonction: Diode de commutation haute tension. IRM (max): 100uA. IRM (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: JS. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS JS. RoHS: oui. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

BAS21-215

Diode BAS21-215, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 2.5A. Courant: 200mA, 0.625A. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.25W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 250V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

BAS21E6327

Diode BAS21E6327, SOT-23, TO-236AB, 0.25A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. If [A]: 0.25A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..100uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 50 ns. [V]: 1.25V @ 200mA...

BAS21J

Diode BAS21J...

BAS21LT1G

Diode BAS21LT1G...

BAS21TW

Diode BAS21TW...

BAS21WS

Diode BAS21WS...

BAS28

Diode BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V. Boîtier: SOT-143. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 215mA. If [A]: 0.215A. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 30nA..50uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: Commutation à haute vitesse. Ifsm [A]: 4A. Marquage sur le boîtier: JTp. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.. Structure diélectrique: Indépendant. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 85V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA...

BAS316

Diode BAS316, 0.5A, 1A, SOD-323, SOD-323, 85V. IF(AV): 0.5A. IFSM: 1A. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Date de production: 2014/22. Fonction: Diode haute vitesse. Marquage sur le boîtier: A6. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Trr Diode (Min.): 4 ns...

BAS32L-115

Diode BAS32L-115...