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2SC3157

2SC3157

Transistor NPN 2SC3157, TO-220, 10A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: 2SC3157. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V...

3.01€
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2SC3182

2SC3182

Transistor NPN 2SC3182, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 30 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1265. Type de transistor: NPN...

2.34€
Quantité en stock: 15
2SC3198

2SC3198

Transistor NPN 2SC3198, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. FT: 130 MHz. Fonction: usage général. Marquage sur le boîtier: C3198. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

2.13€
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2SC3199

2SC3199

Transistor NPN 2SC3199, TO-92, 150mA, 150mA, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Boîtier (norme JEDEC): -. C (out): 3.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. FT: 80 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 70. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: remplacement KTA1267. Température maxi: -.. Température: +125°C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.56€
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2SC3225

2SC3225

Transistor NPN 2SC3225, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 200 MHz. Fonction: Hi-Beta, lo-sat.. Gain hFE mini: 500. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 9mm. Technologie: 'Epitaxial Type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 7V...

2.96€
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2SC3263

2SC3263

Transistor NPN 2SC3263, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 130W. FT: 60 MHz. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1294. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Vebo: 5V...

7.87€
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2SC3281

2SC3281

Transistor NPN 2SC3281, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 30 MHz. Fonction: NF-E HI-FI. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1302. Type de transistor: NPN...

2.69€
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2SC3284

2SC3284

Transistor NPN 2SC3284, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Dissipation de puissance maxi: 125W. FT: 60 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1303. Type de transistor: NPN...

2.64€
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2SC3298-PMC

2SC3298-PMC

Transistor NPN 2SC3298-PMC, 1.5A, TO-220FP, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 100 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1306. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

1.93€
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2SC3303

2SC3303

Transistor NPN 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 120 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 8A. Marquage sur le boîtier: C3303. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

1.64€
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2SC3303L

2SC3303L

Transistor NPN 2SC3303L, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. FT: 120 MHz. Fonction: NF/SL. Ic(puls): 8A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 8V...

1.52€
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2SC3356

2SC3356

Transistor NPN 2SC3356, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Fonction: UHF. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

2.05€
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2SC3383

2SC3383

Transistor NPN 2SC3383, TO-92, 200mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V...

0.45€
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2SC3423

2SC3423

Transistor NPN 2SC3423, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Dissipation de puissance maxi: 5W. FT: 200 MHz. Fonction: NF-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1360. Type de transistor: NPN...

1.35€
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2SC3457

2SC3457

Transistor NPN 2SC3457, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 15 MHz. Fonction: hFE 15...30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V...

1.55€
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2SC3457M

2SC3457M

Transistor NPN 2SC3457M, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 15 MHz. Fonction: hFE 20...40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V...

1.73€
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2SC3460

2SC3460

Transistor NPN 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 15 MHz. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Vebo: 7V...

3.27€
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