Rechercher "phototransistor bpv11"

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4N25

4N25

Optocoupleur 4N25. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 20...50 %. CTR@If: 50%@10mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Délai de coupure tf [µsec.]: 3us. Famille de composants: optocoupleur. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Information: n/a. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 6. Nombre de canaux: 1. Nombre de circuits: 1. Nombre de connexions: 6. Output CurrentmA: 50mA. Puissance de la diode: 0.1W. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Série: n/a. Taux de transfert CTR: 20%. Taux: 20 %. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 2us. Temps de commutation: 2us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Température maxi: +100°C.. Tension (collecteur - émetteur): 70V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5 kV. Tension d'isolation: 5.3kV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tf (type): 2us. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général. Type d'élément semi-conducteur: optocoupleur. Type de sortie: transistor. Type: sortie à transistor. VRRM: 5000V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V. [V]: 70V. [intensité mA]: 10mA...

0.41€
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CNY64

CNY64

Optocoupleur CNY64. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DIP-4. Boîtier: DIP. CTR: 50...300 %. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant IF Diode (crête): 1.5A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 75mA. Dissipation de puissance maxi: 130mW. Distance entre connexions (pas): 10.16mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 42us. Famille de composants: optocoupleur. Fonction: Sortie phototransistor à très haute tension d'isolement. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Nombre de circuits: 1. Nombre de connexions: 4. Puissance de la diode: 120mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor. Taux: 50 %. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 25us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Tension d'isolation Uiso [kV]: 8.2 kV. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Tf (type): 2.7us. Tr: 2.4us. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type d'optocoupleur: optocoupleur, haute tension. Type de sortie: transistor NPN. VECO: 7V. VRRM: 8200V. [V]: 32V. [intensité mA]: 10mA...

2.35€
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4N27

4N27

Optocoupleur 4N27. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 10...30 %. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Délai de coupure tf [µsec.]: 2us. Famille de composants: optocoupleur. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 6. Nombre de circuits: 1. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 0.1W. Remarque: Iceo 10nA. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Taux: 10%. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 2us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5 kV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tf (type): 2us. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général. Type de sortie: transistor NPN. VECO: 7V. VRRM: 5000V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V. [V]: 70V. [intensité mA]: 10mA...

0.44€
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4N33M

4N33M

Optocoupleur 4N33M. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 500 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 80mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Gain hFE mini: 5000. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 150mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor darlington. Spec info: ton 5us, toff 100us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension de seuil de la diode: 1.2V. VECO: 5V. VRRM: 5300V. Vcbo: 100V...

0.60€
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4N36

4N36

Optocoupleur 4N36. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 100 %. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant IF Diode (crête): 2.5A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Délai de coupure tf [µsec.]: 10us. Famille de composants: optocoupleur. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 6. Nombre de circuits: 1. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 0.1W. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Taux: 100 %. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 10us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5 kV. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général. Type de sortie: transistor NPN. VRRM: 5300V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V. [V]: 70V. [intensité mA]: 10mA...

0.46€
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MOC8101

MOC8101

Optocoupleur MOC8101. Boîtier: DIP. CTR: 50...80 %. Courant IF Diode (crête): 2.5A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Fonction: sortie phototransistor, pas de connexion de base. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 0.1W. Remarque: switching toff 2.3us. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Tf (type): 2us. Tr: 2us. VECO: 7V. VRRM: 5300V...

0.96€
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4N28

4N28

Optocoupleur 4N28. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 10...30 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 0.1W. Remarque: Iceo 10nA. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tf (type): 2us. VECO: 7V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V. Vrms: 5000V...

0.44€
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IL207AT

IL207AT

Optocoupleur IL207AT. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. CTR: 100...200 %. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Puissance de la diode: 90mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tf (type): 3us. VECO: 7V. VRRM: 4000V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V...

0.50€
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MOCD207M

MOCD207M

Optocoupleur MOCD207M. Boîtier (selon fiche technique): DIP SMD-8. Boîtier: SMD. CTR: 100...200 %. Courant IF Diode (crête): 1 A (PW=100us, 120pps). Courant de collecteur: 150mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Fonction: sortie phototransistor, double canal. Marquage sur le boîtier: D207. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Puissance de la diode: 90mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor. Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de seuil de la diode: 1.05V. Tf (type): 4.7us. Tr: 3.2us. VECO: 7V. VRRM: 3750V...

1.35€
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CNY75C

CNY75C

Optocoupleur CNY75C. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 160...320 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 70mW. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 70mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Température de fonctionnement: -55...+110°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Tf (type): 4.7us. Tr: 4.2us. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Vcbo: 70V...

0.55€
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4N26

4N26

Optocoupleur 4N26. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 20...50 %. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 2us. Famille de composants: optocoupleur. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 6. Nombre de circuits: 1. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 0.1W. Remarque: Iceo 10nA. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Taux: 20 %. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 2us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5 kV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tf (type): 2us. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général. Type de sortie: transistor NPN. VECO: 7V. VRRM: 5000V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V. [V]: 70V. [intensité mA]: 10mA...

0.49€
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CNY75GB

CNY75GB

Optocoupleur CNY75GB. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 100...200 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 70mW. Distance entre connexions (pas): 10.16mm. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 70mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Température de fonctionnement: -55...+110°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Tf (type): 4.7us. Tr: 4.2us. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Vcbo: 70V...

0.57€
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CNY75GA

CNY75GA

Optocoupleur CNY75GA. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 63...125 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 70mW. Distance entre connexions (pas): 10.16mm. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 70mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Température de fonctionnement: -55...+110°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Tf (type): 2.7us. Tr: 2.5us. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Vcbo: 70V...

0.52€
Quantité en stock: 64
CNY75A

CNY75A

Optocoupleur CNY75A. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 63...125 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 70mW. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 70mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Température de fonctionnement: -55...+110°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Tf (type): 2.7us. Tr: 2us. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Vcbo: 70V...

0.55€
Quantité en stock: 45
4N25-LIT

4N25-LIT

Optocoupleur 4N25-LIT. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 20...50 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Equivalences: LTV-4N25. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 0.1W. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension de seuil de la diode: 1.2V. Tf (type): 3us. VRRM: 5000V. Vcbo: 80V. Vebo: 7V...

0.41€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 251