Rechercher "DS-ST12"

Nous vous proposons une sélection de 10 produits pouvant correspondre à votre recherche de "DS-ST12" (Transistors FET et MOSFET canal P)

SI4435DY

SI4435DY

Transistor canal P SI4435DY, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 8.8A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Technologie: D-S-MOSFET. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

1.21€
Quantité en stock: 16
SI4925BDY

SI4925BDY

Transistor canal P SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7.1A. Idss (maxi): 7.1A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Id (T=100°C): 5.7A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: P...

1.64€
Quantité en stock: 2249
SI4925DDY

SI4925DDY

Transistor canal P SI4925DDY, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 7.3A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 5W. Fonction: td(on) 10ns, td(off) 45ns. Id (T=100°C): 5.9A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.024 Ohms. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Type de canal: P...

1.37€
Quantité en stock: 48
SI4948BEY

SI4948BEY

Transistor canal P SI4948BEY, 2.4A, 2.4A, SO, SO-8, 60V. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Td(off): 50 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Type de canal: P. Unité de conditionnement: 2500...

1.30€
Quantité en stock: 264
SI3441BD

SI3441BD

Transistor canal P SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. Id (T=25°C): 2.45A. Idss (maxi): 5nA. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-6. Tension Vds(max): 20V. Dissipation de puissance maxi: 1nA. Id (T=100°C): 1.95A. Id(imp): 16A. Idss (min): 1nA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.45V...

0.32€
Quantité en stock: 2713
SI4401BDY

SI4401BDY

Transistor canal P SI4401BDY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Id (T=100°C): 5.9A. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Td(off): 97 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 35ms. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.87€
Quantité en stock: 82
SI4401DY

SI4401DY

Transistor canal P SI4401DY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Id (T=100°C): 5.9A. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Td(off): 55 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 45ms. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

3.19€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 4
SI4425BDY

SI4425BDY

Transistor canal P SI4425BDY, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 11.4A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id (T=100°C): 9.1A. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 41ms. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.70€
Quantité en stock: 36
SI4435BDY

SI4435BDY

Transistor canal P SI4435BDY, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Id (T=100°C): 5.6A. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Td(off): 110 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

0.69€
Quantité en stock: 2093
SI9407BDY

SI9407BDY

Transistor canal P SI9407BDY, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. Id (T=25°C): 4.7A. Idss (maxi): 10nA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. C (in): 600pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 3.2W. Id (T=100°C): 3.8A. Id(imp): 30A. Idss (min): 1nA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.11€
Quantité en stock: 44