Recherche de produit: resistance 680 ohms 5w sqp5 680r

STP11NM80

Transistor canal N STP11NM80, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P11NM80. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 46 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: MDmesh MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 612 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

5.85€

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STP120NF10

Transistor canal N STP120NF10, 100V, 0.009 Ohms, TO-220, 77A, 110A, 10uA, TO-220, 100V. Tension drain - source (Vds): 100V. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 77A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 5200pF. C (out): 785pF. Courant de drain maxi: 110A. Dissipation de puissance maxi: 312W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 440A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P120NF10. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 300W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 132 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 152 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.77€

+14 rapidement
Quantité en stock: 62

STP12NM50

Transistor canal N STP12NM50, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 550V. C (in): 1000pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P12NM50. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.80€

Quantité en stock: 47

STP12NM50FP

Transistor canal N STP12NM50FP, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 550V. C (in): 1000pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P12NM50FP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.03€

Quantité en stock: 20

STP13NM60N

Transistor canal N STP13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Dissipation de puissance maxi: 90W. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 44A. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.30€

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STP14NF12

Transistor canal N STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 120V. C (in): 460pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 56A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P14NF12. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.15€

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STP14NK50ZFP

Transistor canal N STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2000pF. C (out): 238pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: protection par diode Zéner. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P14NK50ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

3.53€

Quantité en stock: 79

STP16NF06

Transistor canal N STP16NF06, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.08 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 315pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Capacité dv/dt exceptionnelle, faible charge de grille. Id(imp): 64A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P16NF06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Td(off): 7 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.00€

Quantité en stock: 73

STP16NF06L

Transistor canal N STP16NF06L, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.08 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 345pF. C (out): 72pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Id(imp): 64A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Low Gate Charge. Td(off): 20 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

0.92€

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STP200N4F3

Transistor canal N STP200N4F3, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3M Ohms, TO-220, TO-220, 40V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 40V. C (in): 5100pF. C (out): 1270pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: commutation, applications automobiles. Id(imp): 480A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 200N4F3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

8.13€

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STP20NF06L

Transistor canal N STP20NF06L, 14A, 20A, 20A, 0.06 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 20A. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: HIGHdv/dtCAP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Low Gate Charge. RoHS: oui. Technologie: II Power Mos. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.27€

Quantité en stock: 72

STP20NM60FD

Transistor canal N STP20NM60FD, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 500pF. Dissipation de puissance maxi: 192W. Fonction: Low Gate Capacitance. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

6.36€

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STP20NM60FP

Transistor canal N STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 350pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

6.80€

Quantité en stock: 19

STP24NF10

Transistor canal N STP24NF10, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 870pF. C (out): 125pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 85W. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 104A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P24NF10. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: faible charge d'entrée. Td(off): 50 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil de la diode: 1.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.76€

Quantité en stock: 90

STP26NM60N

Transistor canal N STP26NM60N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.135 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1800pF. C (out): 115pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 26NM60N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.98€

Quantité en stock: 27

STP30NF10

Transistor canal N STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.038 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1180pF. C (out): 180pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 115W. Id(imp): 140A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: faible charge d'entrée. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 110us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.66€

Quantité en stock: 37

STP36NF06

Transistor canal N STP36NF06, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 690pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: trr 65ns, dv/dt performant. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P36NF06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 27 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.26€

Quantité en stock: 47

STP36NF06FP

Transistor canal N STP36NF06FP, 12A, 18A, 18A, 0.032 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 60V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 18A. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: trr 65ns, dv/dt performant. Id(imp): 72A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.24€

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STP36NF06L

Transistor canal N STP36NF06L, TO-220, 21A, 30A, 30A, 60V, 0.032 Ohms, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 30A. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 660pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: trr 55ns, dv/dt performant. Id(imp): 60.4k Ohms. Marquage du fabricant: P36NF06L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.17€

+54 rapidement
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STP3NA60

Transistor canal N STP3NA60, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 1.8A. Id (T=25°C): 2.9A. Idss (maxi): 2.9A. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 80W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.33€

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STP3NB60

Transistor canal N STP3NB60, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.1A. Id (T=25°C): 3.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 400pF. C (out): 57pF. Dissipation de puissance maxi: 80W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P3NB60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 11 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.34€

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STP3NB80

Transistor canal N STP3NB80, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 4.6 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 440pF. C (out): 60pF. Dissipation de puissance maxi: 90W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 10.4A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 15 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

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STP3NK60ZFP

Transistor canal N STP3NK60ZFP, 600V, 3.3 Ohms, TO-220FP, 1.51A, 2.4A, 2.4A, TO-220FP, 600V. Tension drain - source (Vds): 600V. Résistance passante Rds On: 3.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Id (T=100°C): 1.51A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Courant de drain maxi: 2.4A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 9.6A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

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STP3NK80Z

Transistor canal N STP3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: très haut rapport dv/dt, pour applications de commutation. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P3NK80Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

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