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IRLB8721

Transistor canal N IRLB8721, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1077pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Id(imp): 250A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 9 ns. Td(on): 9.1ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V...

1.13€

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IRLB8743PBF

Transistor canal N IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 2.5m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5110pF. C (out): 960pF. Charge: 36nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 150A. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: UPS. Convertisseur DC/DC. Id(imp): 620A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 140W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: High Frequency Synchronous. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V...

1.52€

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IRLB8748PBF

Transistor canal N IRLB8748PBF, 65A, 92A, 150uA, 2.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 92A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 2.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5110pF. C (out): 464pF. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: UPS. Convertisseur DC/DC. Id(imp): 370A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: High Frequency Synchronous. Td(off): 16 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 23 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V...

1.10€

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IRLBA1304P

Transistor canal N IRLBA1304P, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 40V. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 185A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. Boîtier: SUPER-220. Boîtier (selon fiche technique): SUPER220. Tension Vds(max): 40V. C (in): 7660pF. C (out): 2150pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 740A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

9.22€

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IRLBA3803P

Transistor canal N IRLBA3803P, 126A, 179A, 250uA, 0.005 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 30 v. Id (T=100°C): 126A. Id (T=25°C): 179A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.005 Ohms. Boîtier: SUPER-220. Boîtier (selon fiche technique): SUPER220. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Dissipation de puissance maxi: 270W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 720A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

4.87€

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IRLBA3803PPBF

Transistor canal N IRLBA3803PPBF, SUPER-220, 30 v. Boîtier: SUPER-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 179A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Dissipation maximale Ptot [W]: 270W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRLBA3803PPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.3V...

7.10€

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IRLD014

Transistor canal N IRLD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (maxi): 1.7A. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): HVMDIP ( DIP-4 ). Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: FET...

1.19€

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IRLD024

Transistor canal N IRLD024, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. Id (T=100°C): 1.8A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): HVMDIP ( DIP-4 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 870pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Divers: Dynamic dv/dt Rating. Fonction: Commutation rapide, commande de porte au niveau logique. Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.32€

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IRLD024PBF

Transistor canal N IRLD024PBF, DIP4, 60V. Boîtier: DIP4. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 870pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRLD024PBF. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.47€

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IRLIB4343

Transistor canal N IRLIB4343, 13A, 19A, 25uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 55V. C (in): 740pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 39W. Fonction: Applications d'amplification optimisées pour l'audio de classe D. Id(imp): 80A. Idss (min): 2uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 23 ns. Td(on): 5.7 ns. Technologie: Audio numérique HEXSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

40.56€

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IRLIB9343

Transistor canal N IRLIB9343, 10A, 14A, 25uA, 93m Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 93m Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 55V. C (in): 660pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 33W. Fonction: Applications d'amplification optimisées pour l'audio de classe D. Id(imp): 60A. Idss (min): 2uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: diode. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: Audio numérique HEXSFET. Température de fonctionnement: -40...+170°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 57 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.63€

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IRLL014NTRPBF

Transistor canal N IRLL014NTRPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 230pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 14 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL014N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5.1 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.06€

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IRLL024NTRPBF

Transistor canal N IRLL024NTRPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 510pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 18 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL024. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.01€

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IRLL110TRPBF

Transistor canal N IRLL110TRPBF, SOT-223, 100V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 250pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 16 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.3 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

0.81€

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IRLL2703

Transistor canal N IRLL2703, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Id (T=100°C): 3.1A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 530pF. C (out): 230pF. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Id(imp): 16A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 6.9ns. Td(on): 7.4 ns. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1V...

1.05€

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IRLL2703PBF

Transistor canal N IRLL2703PBF, SOT-223, 30 v. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 6.9ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL2703. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V...

2.07€

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IRLL2703TRPBF

Transistor canal N IRLL2703TRPBF, SOT-223, 30 v. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 6.9ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL2703. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V...

2.07€

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IRLL2705TRPBF

Transistor canal N IRLL2705TRPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 870pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 35 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL2705. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.89€

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IRLML2502

Transistor canal N IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=100°C): 3.4A. Id (T=25°C): 4.2A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 740pF. C (out): 90pF. Conditionnement: rouleau. Courant de drain: 4.2A. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 1.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 20V. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) min.: 0.6V...

0.23€

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IRLML2502TRPBF

Transistor canal N IRLML2502TRPBF, SOT-23, 20V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 740pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 54 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 1g. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.2V...

1.18€

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IRLML2803

Transistor canal N IRLML2803, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. Id (T=100°C): 0.93A. Id (T=25°C): 1.2A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 85pF. C (out): 34pF. Dissipation de puissance maxi: 540mW. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 9 ns. Td(on): 3.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

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IRLML2803PBF

Transistor canal N IRLML2803PBF, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 85pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.9 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.53€

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IRLML2803TRPBF

Transistor canal N IRLML2803TRPBF, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 85pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.9 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.53€

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IRLR024N

Transistor canal N IRLR024N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 5V. C (in): 480pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Equivalences: IRLR024NPBF. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

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