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FDP2532

Transistor canal N FDP2532, 150V, TO-220, 56A, 79A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-220AB, 150V. Tension drain - source (Vds): 150V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 56A. Id (T=25°C): 79A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 5870pF. C (out): 615pF. Courant de drain maxi: 79A. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 310W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.96€

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FDP3632

Transistor canal N FDP3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6000pF. C (out): 820pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.62€

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FDP3652

Transistor canal N FDP3652, 43A, 61A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 61A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2880pF. C (out): 3990pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 62 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.29€

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FDPF5N50T

Transistor canal N FDPF5N50T, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.15 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 480pF. C (out): 66pF. Dissipation de puissance maxi: 28W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (11nC typique), Low Crss 5pF. Td(off): 28 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.38€

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FDPF7N50U

Transistor canal N FDPF7N50U, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 720pF. C (out): 95pF. Dissipation de puissance maxi: 31.5W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (12nC typique), Low Crss 9pF. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.62€

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FGB20N60SF

Transistor canal N FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2-PAK. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 940pF. C (out): 110pF. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 208W. Fonction: onduleur solaire, UPS, poste à souder, PFC. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: FGB20N60SF. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: transistor IGBT MOS canal N. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 12 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

7.08€

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FGH40N60SFDTU

Transistor canal N FGH40N60SFDTU, TO-247, 40A, TO-247AB, 600V. Boîtier: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2110pF. C (out): 200pF. Charge: 120nC. Conditionnement: tube en plastique. Courant crête collecteur Ip [A]: 120A. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Courant de collecteur: 80A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 290W. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Ic(puls): 60.4k Ohms. Marquage sur le boîtier: FGH40N60SFD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Puissance: 116W. RoHS: oui. Td(off): 115 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 600V. Tension Emetteur - Gate: ±20V. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: IGBT. Unité de conditionnement: 30...

8.02€

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FGH40N60UFD

Transistor canal N FGH40N60UFD, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2110pF. C (out): 200pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 80A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 290W. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Ic(puls): 60.4k Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 112 ns. Td(on): 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

7.72€

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FGH60N60SFD

Transistor canal N FGH60N60SFD, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2820pF. C (out): 350pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 378W. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SFD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 47 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

13.14€

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FGH60N60SFTU

Transistor canal N FGH60N60SFTU, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2820pF. C (out): 350pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 378W. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

12.60€

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FQA10N80C

Transistor canal N FQA10N80C, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Id (T=100°C): 6.32A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.93 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2150pF. C (out): 180pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 240W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Id(imp): 40A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FQA10N80C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 730 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) min.: 3V...

5.28€

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FQA13N50CF

Transistor canal N FQA13N50CF, 9.5A, 15A, 10uA, 0.43 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=100°C): 9.5A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.43 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1580pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 218W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 43nC). Id(imp): 60A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.09€

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FQA19N60

Transistor canal N FQA19N60, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Id (T=100°C): 11.7A. Id (T=25°C): 18.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 600V. C (in): 2800pF. C (out): 350pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Id(imp): 74A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 65 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

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FQA24N50

Transistor canal N FQA24N50, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. Id (T=100°C): 12.5A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.156 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3500pF. C (out): 520pF. Dissipation de puissance maxi: 290W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 90nC). Id(imp): 96A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 200 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

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FQA24N60

Transistor canal N FQA24N60, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Id (T=100°C): 14.9A. Id (T=25°C): 23.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4200pF. C (out): 550pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 90nC). Id(imp): 94A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

9.28€

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FQA28N15

Transistor canal N FQA28N15, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. Id (T=100°C): 23.3A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.067 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 150V. C (in): 1250pF. C (out): 260pF. Dissipation de puissance maxi: 227W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 40nC). Id(imp): 132A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.25€

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FQA62N25C

Transistor canal N FQA62N25C, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 62A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.029 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 250V. C (in): 4830pF. C (out): 945pF. Dissipation de puissance maxi: 298W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Id(imp): 248A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 245 ns. Td(on): 75 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

7.79€

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FQA70N10

Transistor canal N FQA70N10, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Id (T=100°C): 49.5A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2500pF. C (out): 720pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 214W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 280A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (85nC typique). Td(off): 130 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.86€

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FQA9N90C-F109

Transistor canal N FQA9N90C-F109, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2100pF. C (out): 175pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FQA9N90C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 4.7g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

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FQP13N10

Transistor canal N FQP13N10, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 9.05A. Id (T=25°C): 12.8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.142 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 345pF. C (out): 100pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Id(imp): 51.2A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 2.07g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 20 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 72 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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FQP13N50

Transistor canal N FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 7.9A. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1800pF. C (out): 245pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

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FQP13N50C

Transistor canal N FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1580pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 195W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (43nC typique). Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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FQP19N10

Transistor canal N FQP19N10, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 13.5A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.078 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 600pF. C (out): 165pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 78 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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FQP33N10

Transistor canal N FQP33N10, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1150pF. C (out): 320pF. Dissipation de puissance maxi: 127W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Id(imp): 132A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 80 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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