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BUK7611-55A-118

Transistor canal N BUK7611-55A-118, 61A, 75A, 1uA, 0.009 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2230pF. C (out): 510pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 166W. Id(imp): 347A. Idss (min): 0.05uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 84 ns. Td(on): 18 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 62 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

BUK7620-55A-118

Transistor canal N BUK7620-55A-118, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. Id (T=100°C): 38A. Id (T=25°C): 54A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1200pF. C (out): 290pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 118W. Id(imp): 217A. Idss (min): 0.05uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 70 ns. Td(on): 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

BUK9575-55A

Transistor canal N BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.064 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT-78 ( TO220AB ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 440pF. C (out): 90pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 62W. Fonction: automobile, commutation de puissance, moteur 12 V et 24 V. Id(imp): 81A. Idss (min): 0.05uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Td(off): 28 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

BUZ102S

Transistor canal N BUZ102S, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): P-TO263-3-2. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1220pF. C (out): 410pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Td(off): 30 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS, PowerMosfet. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ11

Transistor canal N BUZ11, TO-220, 50V, 0.03 Ohms, 50V, 19A, 30A, 100uA, TO-220AC, 50V. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 50V. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension Vds(max): 50V. C (in): 1500pF. C (out): 750pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain maxi: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 180 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 20uA. Marquage du fabricant: BUZ11. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 180 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

BUZ12

Transistor canal N BUZ12, 32A, 42A, 42A, 0.028 Ohms, 50V. Id (T=100°C): 32A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 42A. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Tension Vds(max): 50V. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: transistor MOSFET N. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ14

Transistor canal N BUZ14, 22A, 39A, 39A, 40m Ohms, 50V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 39A. Idss (maxi): 39A. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. Tension Vds(max): 50V. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: transistor MOSFET N. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 250/500ns. Technologie: V-MOS S/L. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ22

Transistor canal N BUZ22, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1850pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 34A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 300 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BUZ22. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

BUZ72A

Transistor canal N BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 330pF. C (out): 90pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Id(imp): 44A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

BUZ73LH

Transistor canal N BUZ73LH, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BUZ73LH. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

BUZ74

Transistor canal N BUZ74, TO-220AB, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V, 500V. Boîtier: TO-220AB. Id (T=100°C): 1.5A. Boîtier (norme JEDEC): -. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Tension Vds(max): 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 675pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: transistor MOSFET N. Marquage du fabricant: BUZ74. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Technologie: V-MOS. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ76

BUZ76A

Transistor canal N BUZ76A, TO-220AB, 400V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BUZ76A. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

BUZ77A

BUZ77B

Transistor canal N BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 460pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. Idss (min): 0.1uA. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 50 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 350 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

BUZ80A

Transistor canal N BUZ80A, TO220, PG-TO220-3. Boîtier: TO220, PG-TO220-3. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 4A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 63W. RoHS: non. Résistance dans l'état passant: 1.3 Ohms. Technologie: CoolMOS™. Tension drain - source: 800V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

BUZ80AF

BUZ90

Transistor canal N BUZ90, 2.8A, 4.5A, 4.5A, 1.6 Ohms, 600V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 4.5A. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: transistor MOSFET N. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ90A

Transistor canal N BUZ90A, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ90AF

Transistor canal N BUZ90AF, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, 600V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: transistor MOSFET N. Quantité par boîtier: 1. Technologie: TO-220F. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ91A

Transistor canal N BUZ91A, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ91A-INF

Transistor canal N BUZ91A-INF, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. Idss (min): 0.1uA. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

CEB6030L

Transistor canal N CEB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

CSD17313Q2T

Transistor canal N CSD17313Q2T, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, boîtier plastique 2mm × 2mm, 30 v. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.024...0.042 Ohms. Boîtier: WSON6. Boîtier (selon fiche technique): boîtier plastique 2mm × 2mm. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 260pF. C (out): 140pF. Dissipation de puissance maxi: 17W. Id(imp): 57A. Idss (min): -. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V...