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MJ15016G

Transistor PNP MJ15016G, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 18 MHz. Marquage du fabricant: MJ15016G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +200°C...

14.80€

Quantité en stock: 64

MJ15025G

Transistor PNP MJ15025G, -250V, TO-3, -16A, TO-204AA, 250V, 16A. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur: -16A. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Bande passante MHz: 4MHz. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: -16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Fréquence maxi: 4 MHz. Gain hFE min.: 5. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MJ15025G. Nombre de bornes: 3. Polarité: PNP. Puissance: 250W. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension base / collecteur VCBO: -400V. Type de montage: Montage sur châssis. Type de transistor: Transistor de puissance. Type: Puissance...

18.05€

+14 rapidement
Quantité en stock: 115

MJ21193G

Transistor PNP MJ21193G, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Marquage du fabricant: MJ21193G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +200°C...

18.94€

Quantité en stock: 58

MJ2955G

Transistor PNP MJ2955G, TO-3, TO-204AA, 60V, 15A. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 115W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2.5 MHz. Marquage du fabricant: MJ2955G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +200°C...

11.84€

Quantité en stock: 69

MJD45H11G

Transistor PNP MJD45H11G, D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 90 MHz. Marquage du fabricant: J45H11. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

2.36€

Quantité en stock: 41

MJE15033G

Transistor PNP MJE15033G, -250V, TO-220, 8A, TO-220, 250V, 8A, TO-220AB, 250V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Bande passante MHz: 30MHz. C (out): 2pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: -8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. FT: 30 MHz. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fonction: pour amplificateur audio. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Fréquence maxi: 30MHz. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE min.: 10. Gain hFE mini: 10. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MJE15033G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 50W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15032. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: -250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: Puissance. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

2.55€

+200 rapidement
Quantité en stock: 4

MJE2955T

Transistor PNP MJE2955T, TO-220, -70V, 10A, TO-220AB, 60V, 10A, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: -70V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 10A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. FT: 2 MHz. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Fréquence maxi: 4MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Marquage du fabricant: MJE2955T. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 90W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 70V. Vebo: 5V...

0.95€

+397 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 78

MJE2955TG

Transistor PNP MJE2955TG, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Marquage du fabricant: MJE2955TG. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

1.31€

Quantité en stock: 15

MJE350

Transistor PNP MJE350, TO-126 (TO-225, SOT-32), -300V, 0.5A, TO-126, 300V, 500mA, TO-126, 300V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: -300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (norme JEDEC): TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 0.5A. 500mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20W. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. FT: 10 MHz. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fonction: -. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE min.: 30. Gain hFE mini: 30. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MJE350. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 20W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Série: MJE350. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 4.87k Ohms. Tension base / collecteur VCBO: -300V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: Switching. Vcbo: 300V. Vebo: 3V...

0.52€

+565 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 92

MJE350G

Transistor PNP MJE350G, -300V, TO-126, -0.5A, TO-225, 300V, 500mA. Tension collecteur-émetteur VCEO: -300V. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur: -0.5A. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 10MHz. Marquage du fabricant: MJE350G. Nombre de bornes: 3. Polarité: PNP. Puissance: 20W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: Transistor de puissance...

1.18€

+65 rapidement
Quantité en stock: 1070

MJE5852G

Transistor PNP MJE5852G, 450/400V, TO-220AB, -8A, TO-220, 400V, 8A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 450/400V. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur: -8A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: MJE5852G. Nombre de bornes: 3. Polarité: PNP. Puissance: 80W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: Transistor de puissance...

6.69€

+4 rapidement
Quantité en stock: 69

MMBT2907A-2F

Transistor PNP MMBT2907A-2F, SOT-23, TO-236, 60V, 800mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Marquage du fabricant: 2F. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.17€

Quantité en stock: 1030

MMBT3906LT1G

Transistor PNP MMBT3906LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, 40V, 200mA, 200mA, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 1.6pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A]: 0.2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 225mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fonction: UNI. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Fréquence: 250MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 800mA. Marquage du fabricant: 2A. Marquage sur le boîtier: 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 300mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 2A. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tf(max): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V...

0.0347€

+3271 rapidement
Quantité en stock: 1495

MMBT5401LT1G

Transistor PNP MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 2L. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.17€

Quantité en stock: 3622

MMBTA56-2GM

Transistor PNP MMBTA56-2GM, SOT-23, TO-236, 60V, 500mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.250W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: 2GM. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.10€

Quantité en stock: 2990

MMBTA56LT1G-2GM

Transistor PNP MMBTA56LT1G-2GM, SOT-23, TO-236, 80V, 500mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: 2GM. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.21€

Quantité en stock: 2720

MMBTA92-2D

Transistor PNP MMBTA92-2D, SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.250W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: 2D. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.11€

Quantité en stock: 5959

MMBTA92LT1G-2D

Transistor PNP MMBTA92LT1G-2D, SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: 2D. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.25€

Quantité en stock: 6744

MMUN2111LT1G-R

Transistor PNP MMUN2111LT1G-R, SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.24W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: A6A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.10€

Quantité en stock: 39021

MMUN2115LT1G

Transistor PNP MMUN2115LT1G, SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.24W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: A6E. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.0888€

Quantité en stock: 4139

MPS-A92G

Transistor PNP MPS-A92G, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: MPSA92. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.27€

Quantité en stock: 2403

MPSA56G

Transistor PNP MPSA56G, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: MPSA56. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.28€

Quantité en stock: 463

PN2907ABU

Transistor PNP PN2907ABU, TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Marquage du fabricant: 2907A. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C...