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Nous vous proposons une sélection de 533 produits pouvant correspondre à votre recherche de "transistor j107" (Transistors bipolaires PNP)

2SB1012

2SB1012

Transistor PNP 2SB1012, TO-126, 120V, 1.5A. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 8W. Famille de composants: Transistor PNP Darlington. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

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2SB1123S

2SB1123S

Transistor PNP 2SB1123S, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Marquage sur le boîtier: BF. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS BF. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1623S. Type de transistor: PNP...

1.12€
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2SB1123T

2SB1123T

Transistor PNP 2SB1123T, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): -. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: pilotes de moyenne puissance, de solénoïdes, de relais et d'actionneurs et modules DC/DC. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: BF. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS BF. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1623T. Type de transistor: PNP...

1.07€
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2SB1132

2SB1132

Transistor PNP 2SB1132, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 (SC-62). Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. C (out): 20pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 180. Marquage sur le boîtier: BA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD BA0. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V...

0.80€
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2SB1143

2SB1143

Transistor PNP 2SB1143, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 39pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 150 MHz. Fonction: NF/SL. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1683. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

1.16€
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2SB1185

2SB1185

Transistor PNP 2SB1185, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): SC-67. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 70 MHz. Fonction: NF-E-L. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial planar type'. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

1.55€
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2SB1204

2SB1204

Transistor PNP 2SB1204, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 95pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 130 MHz. Fonction: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1804. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Tf (type): 20 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V...

4.13€
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2SB1237

2SB1237

Transistor PNP 2SB1237, 1A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 32V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): ATV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 150 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 82. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: TU2. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V...

1.03€
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2SB1243

2SB1243

Transistor PNP 2SB1243, 3A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): ATV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 70 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 82. Ic(puls): 4.5A. Marquage sur le boîtier: B1243 (RN). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial planar type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

4.35€
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2SB1274

2SB1274

Transistor PNP 2SB1274, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 100 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1913. Type de transistor: PNP...

2.98€
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2SB1342

2SB1342

Transistor PNP 2SB1342, 4A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 30W. FT: 12 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 10000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1933. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 7V...

4.06€
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2SB1375

2SB1375

Transistor PNP 2SB1375, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 9 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1913. Type de transistor: PNP...

0.72€
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2SB1470

2SB1470

Transistor PNP 2SB1470, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 20 MHz. Fonction: Optimal pour une sortie Hi-Fi de 120W. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 3500. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: 'Triple diffusion planar type darlington'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

8.05€
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2SB1560

2SB1560

Transistor PNP 2SB1560, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: NF/L. Gain hFE maxi: 5000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V...

6.15€
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2SB1560-SKN

2SB1560-SKN

Transistor PNP 2SB1560-SKN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN ( MT-100 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Ic(puls): A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Transistor Darlington?: 1. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

6.15€
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2SB1565

2SB1565

Transistor PNP 2SB1565, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 15 MHz. Fonction: NF-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2394. Type de transistor: PNP...

0.93€
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