Transistor PNP 2SB1039, M10/J, 100V, 4A
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Transistor PNP 2SB1039, M10/J, 100V, 4A. Boîtier: M10/J. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:34
2SB1039
8 paramètres
Boîtier
M10/J
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
100V
Courant de collecteur Ic [A], max.
4A
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Dissipation maximale Ptot [W]
40W
Famille de composants
Transistor bipolaire PNP
Nombre de bornes
3
RoHS
non