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MMBT5551

Transistor NPN MMBT5551, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Equivalences: MMBT5551LT1G. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: G1. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS G1 (3S Fairchild). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 180V. Vebo: 6V...

MMBT5551LT1G

Transistor NPN MMBT5551LT1G, SOT-23, 600mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: G1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V...

MMBTA06-1GM

Transistor NPN MMBTA06-1GM, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1GM. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

MMBTA06LT1G-1GM

Transistor NPN MMBTA06LT1G-1GM, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1GM. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

MMBTA42

Transistor NPN MMBTA42, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 240mW. FT: 50 MHz. Fonction: transistor amplificateur haute tension (version CMS du transistor MPSA42). Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Marquage sur le boîtier: 1D. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 1D. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MMBTA92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 300V. Vebo: 6V...

MMBTA42LT1G-1D

Transistor NPN MMBTA42LT1G-1D, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: 1D. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V...

MMBTH10L-3EM

Transistor NPN MMBTH10L-3EM, SOT-23, 5mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 650 MHz. Marquage du fabricant: 3EM. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V...

MMSS8050-H

Transistor NPN MMSS8050-H, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (out): 9pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 100 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 350. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: Y1. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: -. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 6V...

MMUN2211LT1G

Transistor NPN MMUN2211LT1G, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant de collecteur Ic [A]: 0.1A. Gain hfe: 35...60. Montage/installation: SMD. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.246W. RoHS: oui. Résistance base-émetteur: 10k Ohms. Résistance base: 10k Ohms. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Type de transistor: BRT...

MMUN2211LT1G-R

Transistor NPN MMUN2211LT1G-R, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: A8A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

MMUN2215LT1G

Transistor NPN MMUN2215LT1G, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: A8E. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

MMUN2233LT1G

Transistor NPN MMUN2233LT1G, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.246W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: A8K. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

MN2488-MP1620

MPS-A42G

Transistor NPN MPS-A42G, TO-92, 500mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: MPSA42. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V...

MPSA06

Transistor NPN MPSA06, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 300pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100MHz. Fonction: -. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 10. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 4 v...

MPSA06G

Transistor NPN MPSA06G, TO-92, 500mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: MPSA06. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

MPSA13

Transistor NPN MPSA13, 0.5A, 30 v. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 10000. Gain hFE mini: 5000. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Technologie: transistor Darlington. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tf(min): 125 MHz. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 10V...

MPSA14

Transistor NPN MPSA14, TO-92, 500mA, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Courant de collecteur Ic [A]: 500mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 125 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 10000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: transistor Darlington. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 10V...

MPSA18

Transistor NPN MPSA18, 45V, 0.2A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Applications: Audio. Fréquence maxi: 100 MHz. Gain hFE min.: 1000. Polarité: NPN. Type de transistor: transistor NPN...

MPSA42

Transistor NPN MPSA42, TO-92, 4.87k Ohms, 0.5A, TO-92 (ammo pak), 300V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 4.87k Ohms. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (ammo pak). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Bande passante MHz: 50MHz. C (out): 3pF. Courant de collecteur Ic [A]: 0.5A. Courant maximum 1: 0.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Equivalences: KSP42. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE min.: 25. Gain hFE mini: 25. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MPSA42. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: THT. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MPSA92. Série: MPSA. Tension (collecteur - émetteur): 4.87k Ohms. Tension base / collecteur VCBO: 4.87k Ohms. Tension de saturation VCE(sat): 500mV. Type de conditionnement: -. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 300V. Vebo: 6V...

MPSA44

Transistor NPN MPSA44, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Courant de collecteur: 0.3A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (ammo pak). Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Equivalences: KSP44, CMPSA44. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension de saturation VCE(sat): 400mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 750mV. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Vebo: 6V...

MPSH10

Transistor NPN MPSH10, TO-92, 5mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 650 MHz. Marquage du fabricant: MPSH10. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V...

MPSW42

Transistor NPN MPSW42, 0.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 50 MHz. Fonction: hFE 25...40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. Type de transistor: NPN...

MPSW45A

Transistor NPN MPSW45A, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 100 MHz. Fonction: High hFE. Gain hFE maxi: 150000. Gain hFE mini: 25000. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vcbo: 60V. Vebo: 12V...