Transistor NPN MMBT5551LT1G, SOT-23, 600mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: G1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 15:50