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MJF18008

MJF18008

Transistor NPN MJF18008, 8A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. C (out): 80pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: (F). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

2.60€
Quantité en stock: 28
MJF18204

MJF18204

Transistor NPN MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (out): 156pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 35W. FT: 13 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 18. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 50. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.83V. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Vebo: 10V...

2.30€
Quantité en stock: 16
MJL21194

MJL21194

Transistor NPN MJL21194, TO-264 ( TOP-3L ), 16A, TO–3PBL, 250V. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Courant de collecteur: 16A. Boîtier (selon fiche technique): TO–3PBL. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 6pF. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 16A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21193. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 250V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Vebo: 5V...

8.20€
+1 rapidement
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Quantité en stock: 124
MJL21196

MJL21196

Transistor NPN MJL21196, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21195. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Vebo: 5V...

9.84€
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MJL3281A

MJL3281A

Transistor NPN MJL3281A, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 25A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL1302A. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 260V. Vebo: 5V...

11.81€
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MJL4281A

MJL4281A

Transistor NPN MJL4281A, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 230W. FT: 35 MHz. Fonction: puissance audio, faible distorsion harmonique. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL4302A. Technologie: Silicon Power Bipolar Transistor. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 25. Vcbo: 350V. Vebo: 5V...

8.46€
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MJW21196

MJW21196

Transistor NPN MJW21196, 16A, TO-247, TO-247, 400V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Fonction: Excellente linéarité de gain. Gain hFE maxi: 80. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW21195. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

7.38€
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MJW3281AG

MJW3281AG

Transistor NPN MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. C (out): 2.8pF. Date de production: 201444 201513. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 25A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW1302A. Technologie: transistor bipolaire de puissance. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Vebo: 5V...

4.99€
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MMBT2222A

MMBT2222A

Transistor NPN MMBT2222A, SOT23, 40V. Boîtier: SOT23. Tension collecteur-émetteur VCEO: 40V. Bande passante MHz: 250MHz. Courant de collecteur Ic [A]: 0.6A. Courant maximum 1: 0.6A. Fréquence: 250MHz. Gain hFE min.: 30. Gain hfe: 35...300. Information: -. Montage/installation: SMD. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension base / collecteur VCBO: 75V. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance...

0.0357€
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Minimum: 100
MMBT2222ALT1

MMBT2222ALT1

Transistor NPN MMBT2222ALT1, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 75V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. C (out): 5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 250 MHz. Fonction: UNI. Gain hFE mini: 100. Marquage sur le boîtier: 1 P. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 1P. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V...

0.0452€
Quantité en stock: 844
Minimum: 10
MMBT2222ALT1G

MMBT2222ALT1G

Transistor NPN MMBT2222ALT1G, SOT-23, 600mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: 1P. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V...

0.17€
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MMBT2369A

MMBT2369A

Transistor NPN MMBT2369A, SOT-23, 200mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V...

0.19€
Quantité en stock: 7970
MMBT2907ALT1G

MMBT2907ALT1G

Transistor NPN MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 1.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 225mW. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1.2A. Marquage sur le boîtier: 2F. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD '2F'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.0293€
Quantité en stock: 987
Minimum: 10
MMBT3904

MMBT3904

Transistor NPN MMBT3904, SOT-23, 40V, 200mA. Boîtier: SOT-23. Tension collecteur-émetteur VCEO: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Bande passante MHz: 300MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant maximum 1: 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Gain hFE min.: 100. Information: -. Marquage du fabricant: 1AM. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 0.35W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: 60V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Type de montage: SMD. Type: transistor pour applications basse puissance...

0.0711€
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Quantité en stock: 5590
Minimum: 10
MMBT3904LT1G

MMBT3904LT1G

Transistor NPN MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. C (out): 1.6pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A]: 0.2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. FT: 300 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: UNI. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Marquage du fabricant: 1AM. Marquage sur le boîtier: 1AM. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 300mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 1AM. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V...

0.0394€
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Minimum: 10
MMBT4401LT1G

MMBT4401LT1G

Transistor NPN MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 80pF. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 0.9A. Marquage sur le boîtier: 2x. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 2X. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

0.0346€
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Minimum: 10
MMBT5401

MMBT5401

Transistor NPN MMBT5401, SOT-23 ( TO-236 ), 600mA, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 150V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. C (out): 6pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A]: 0.6A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.250W. Equivalences: MMBT5401LT1G. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 50. Marquage du fabricant: 2L. Marquage sur le boîtier: 2 L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS (2Lx Date Code). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 150V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

0.0517€
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