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BSP52T1GDARL

BSP52T1GDARL

Transistor NPN BSP52T1GDARL, SOT-223, 500mA. Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-261AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: AS3. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.68€
Quantité en stock: 1061
BSR14

BSR14

Transistor NPN BSR14, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. FT: 350 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Marquage sur le boîtier: U8. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS U8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tf (type): 60 ns. Tr: 25 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

0.0559€
Quantité en stock: 1534
Minimum: 10
BSR14-FAI

BSR14-FAI

Transistor NPN BSR14-FAI, SOT-23, 800mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: U8. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V...

0.12€
Quantité en stock: 503
Minimum: 10
BSR14-NXP

BSR14-NXP

Transistor NPN BSR14-NXP, SOT-23, 800mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: U8. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V...

0.24€
Quantité en stock: 286
BSR43TA

BSR43TA

Transistor NPN BSR43TA, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (in): 90pF. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 100 MHz. Fonction: pilotes de moyenne puissance, de solénoïdes, de relais et d'actionneurs et modules DC/DC. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: AR4. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS AR4. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tf (type): 1000 ns. Tr: 250 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 90V. Vebo: 5V...

0.47€
Quantité en stock: 589
BSR51

BSR51

Transistor NPN BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( SOT-54 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

0.87€
Quantité en stock: 19
BSV52

BSV52

Transistor NPN BSV52, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Courant de collecteur: 250mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Dissipation de puissance maxi: 0.225mW. FT: 400 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 25. Marquage sur le boîtier: B2. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS B2. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V...

0.0865€
Quantité en stock: 2367
Minimum: 10
BU1508DX

BU1508DX

Transistor NPN BU1508DX, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 35W. FT: kHz. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Transistor de puissance. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 13.5V...

3.33€
Quantité en stock: 27
BU208D-TOS

BU208D-TOS

Transistor NPN BU208D-TOS, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 125W. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.04€
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Equivalence disponible
Quantité en stock: 11
BU2508AF

BU2508AF

Transistor NPN BU2508AF, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.23€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 10
BU2508DF-PHI

BU2508DF-PHI

Transistor NPN BU2508DF-PHI, 8A, TO-247, TO-247, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: (F). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 33 Ohms. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

3.22€
Quantité en stock: 26
BU2515DX

BU2515DX

Transistor NPN BU2515DX, 9A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF ( SOT399 ), 800V. Courant de collecteur: 9A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF ( SOT399 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Fonction: VCE(sat) 5.0V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: convient pour l'alimentation des téléviseurs SONY. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

4.18€
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Equivalence disponible
Quantité en stock: 3
BU2520AF-PHI

BU2520AF-PHI

Transistor NPN BU2520AF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 45W. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

3.89€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 8
BU2520DF-PHI

BU2520DF-PHI

Transistor NPN BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 45W. FT: kHz. Fonction: commutation haute tension et haute vitesse. Gain hFE maxi: 13. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 25A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Tension d'isolation 2500V. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Technologie: Transistor de puissance. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 13.5V...

2.60€
Quantité en stock: 311
BU2520DX

BU2520DX

Transistor NPN BU2520DX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 45W. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.74€
Quantité en stock: 25