Transistor NPN BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V

Transistor NPN BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.57€
5-24
2.23€
25-49
1.99€
50+
1.76€
Quantité en stock: 311

Transistor NPN BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 45W. FT: kHz. Fonction: commutation haute tension et haute vitesse. Gain hFE maxi: 13. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 25A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Tension d'isolation 2500V. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Technologie: Transistor de puissance. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 13.5V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
BU2520DF-PHI
25 paramètres
Courant de collecteur
10A
Boîtier
SOT-199
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-199
Tension collecteur/émetteur Vceo
800V
Dissipation de puissance maxi
45W
FT
kHz
Fonction
commutation haute tension et haute vitesse
Gain hFE maxi
13
Gain hFE mini
5
Ic(puls)
25A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Remarque
Tension d'isolation 2500V
Spec info
Switching times (16kHz line deflection circuit)
Technologie
Transistor de puissance
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
5V
Tf(max)
0.5us
Tf(min)
0.35us
Type de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
13.5V
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors