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BF199

BF199

Transistor NPN BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 25V. Courant de collecteur: 100mA. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Applications: RF-POWER. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (out): 3.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 25uA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. FT: 1100 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Fonction: TV-IF. Fréquence de coupure ft [MHz]: 750 MHz. Fréquence maxi: 400MHz. Fréquence: 550MHz. Marquage du fabricant: BF199. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v...

0.35€
+3788 rapidement
Quantité en stock: 29
BF254

BF254

Transistor NPN BF254, TO-92, 30mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.22W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V...

0.0711€
Quantité en stock: 781
Minimum: 10
BF259RS

BF259RS

Transistor NPN BF259RS, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 90 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V...

1.25€
Quantité en stock: 276
BF314

BF314

Transistor NPN BF314, TO-92, 25mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v...

0.24€
Quantité en stock: 1704
BF393

BF393

Transistor NPN BF393, TO-92, 500mA, 0.5A, 300V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (out): 2pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fonction: Ampli VIDEO.. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: BF393. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 6V...

0.17€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 158
BF420

BF420

Transistor NPN BF420, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF421. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V...

0.36€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 151
BF422

BF422

Transistor NPN BF422, TO-92, 50mA, TO-92, 250V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 1.6pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Fréquence: 60MHz. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 100mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF423. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

0.25€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 221
BF459

BF459

Transistor NPN BF459, TO-126 (TO-225, SOT-32), 100mA, TO-126, 300V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 5.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 90 MHz. Fonction: VID-L. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 300mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V...

1.11€
+3 rapidement
Quantité en stock: 36
BF622-DA

BF622-DA

Transistor NPN BF622-DA, SOT-89, 50mA. Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.1W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 60 MHz. Marquage du fabricant: DA. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V...

0.38€
Quantité en stock: 918
BF820

BF820

Transistor NPN BF820, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 1V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS 1V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V...

0.30€
Quantité en stock: 22
BF959

BF959

Transistor NPN BF959, 100mA, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 700 MHz. Fonction: VHF TV-IF. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 35. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 3V...

1.19€
Quantité en stock: 7
BFG135

BFG135

Transistor NPN BFG135, 150mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 7GHz. Fonction: Transistor large bande VHF/UHF-A 7 GHz. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 80. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 2V...

2.21€
Quantité en stock: 278
BFG591

BFG591

Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. C (out): 0.7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 2W. FT: 7GHz. Fonction: Pour amplificateur d'antenne VHF/UHF et applications de communication RF. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 3V...

3.06€
Quantité en stock: 103
BFG67

BFG67

Transistor NPN BFG67, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. C (in): 1.3pF. C (out): 0.7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW (total 380mW). FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: V3%. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS V3. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V...

0.68€
Quantité en stock: 95
BFG67X

BFG67X

Transistor NPN BFG67X, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. C (in): 1.3pF. C (out): 0.7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW (total 380mW). FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: %MW. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS MW. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V...

1.03€
Quantité en stock: 64
BFG71

BFG71

Transistor NPN BFG71, 0.1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Dissipation de puissance maxi: 1.8W. FT: 60 MHz. Fonction: VID-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V...

0.99€
Quantité en stock: 81