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BD237G

BD237G

Transistor NPN BD237G, TO-225, 2A. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Marquage du fabricant: BD237G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.52€
Quantité en stock: 222
BD239C

BD239C

Transistor NPN BD239C, TO-220, 100V, 2A, 2A, TO-220, 115V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 2A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 30W. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 4A. Marquage du fabricant: BD239C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 30W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD240C. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 115V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.58€
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BD241C

BD241C

Transistor NPN BD241C, TO-220, 100V, 5A, 3A, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 5A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Bande passante MHz: 3MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 3A. Courant maximum 1: 3A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 40W. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 3MHz. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE min.: 10. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD241C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 40W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C. Série: BD. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 115V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Vcbo: 115V. Vebo: 5V...

0.69€
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BD241C-ST

BD241C-ST

Transistor NPN BD241C-ST, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 5A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 115V. Vebo: 5V...

0.58€
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BD243C

BD243C

Transistor NPN BD243C, 100V, TO-220., 6A, 6A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier: TO-220.. Courant de collecteur: 6A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BD243C. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 65W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Type de transistor: transistor de puissance NPN...

1.77€
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BD243C-CDIL

BD243C-CDIL

Transistor NPN BD243C-CDIL, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 65W. FT: 3 MHz. Fonction: Transistor de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD244C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V...

0.82€
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BD243C-FAI

BD243C-FAI

Transistor NPN BD243C-FAI, TO-220AB, 6A. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BD243C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V...

1.77€
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BD243C-STM

BD243C-STM

Transistor NPN BD243C-STM, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 65W. FT: 3 MHz. Fonction: Transistor de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD244C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V...

1.83€
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BD243CG

BD243CG

Transistor NPN BD243CG, TO-220, 100V, 6A, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Bande passante MHz: 3MHz. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 6A. Courant maximum 1: 6A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 65W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Fréquence maxi: 3MHz. Fréquence: 3MHz. Gain hFE min.: 15. Ic(puls): 10A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 65W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Série: BD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V...

1.75€
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BD245C-CDIL

BD245C-CDIL

Transistor NPN BD245C-CDIL, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 115V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD246C. Type de transistor: NPN...

1.92€
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BD249C

BD249C

Transistor NPN BD249C, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 125W. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 40A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD250C. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

2.64€
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BD249C-PMC

BD249C-PMC

Transistor NPN BD249C-PMC, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Dissipation de puissance maxi: 125W. FT: 3 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD250C. Type de transistor: NPN...

2.88€
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BD433-TFK

BD433-TFK

Transistor NPN BD433-TFK, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 22V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 22V. Dissipation de puissance maxi: 36W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

0.38€
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BD437

BD437

Transistor NPN BD437, TO-126 (TO-225, SOT-32), 45V, 4A, TO-126, 45V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 4A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 36W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Fréquence maxi: 3MHz. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 7A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 36W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD438. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

0.42€
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BD439

BD439

Transistor NPN BD439, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): SOT-32. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 36W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 7A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD440. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V...

0.80€
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BD441

BD441

Transistor NPN BD441, TO-126 (TO-225, SOT-32), 80V, 4A, SOT-32, 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-32. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Bande passante MHz: 3MHz. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 4A. Courant maximum 1: 4A. Dissipation de puissance maxi: 36W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Fréquence maxi: 3MHz. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE min.: 15. Gain hFE mini: 20. Gain hfe: 15...40. Ic(puls): 7A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 36W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Série: BD. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Transistor Darlington?: non. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Vcbo: 80V...

0.63€
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BD441G

BD441G

Transistor NPN BD441G, 80V, TO-126F, 4A, 4A, TO-126F, 80V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Boîtier: TO-126F. Courant de collecteur: 4A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 36W. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Fréquence maxi: 3MHz. Marquage du fabricant: BD441G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 36W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: boîtier isolé. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Type de transistor: NPN...

0.72€
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BD649

BD649

Transistor NPN BD649, TO-220AB, 8A. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 62.5W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BD649. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V...

1.17€
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BD677

BD677

Transistor NPN BD677, TO-126, 4A. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BD677. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V...

0.68€
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BD677A

BD677A

Transistor NPN BD677A, TO-126, 4A. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BD677A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V...

0.59€
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