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BCX56-10

BCX56-10

Transistor NPN BCX56-10, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. FT: 130 MHz. Fonction: amplificateurs audio et vidéo. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 63. Ic(puls): 1.5A. Marquage sur le boîtier: BK. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS BK. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX53-10. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.30€
Quantité en stock: 903
BCX56-16

BCX56-16

Transistor NPN BCX56-16, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), 80V, 1A, 1A, SOT-89, 80V. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Bande passante MHz: 100MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant maximum 1: 1A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. FT: 130 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: amplificateurs audio et vidéo. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE min.: 25. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1.5A. Information: -. Marquage du fabricant: BL. Marquage sur le boîtier: BL. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 1W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS BL. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX53-16. Série: BCX. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.29€
+6691 rapidement
Quantité en stock: 354
BCX70K-215

BCX70K-215

Transistor NPN BCX70K-215, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 250 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: AK*. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

0.0334€
Quantité en stock: 2797
Minimum: 10
BCY59

BCY59

Transistor NPN BCY59, 100mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 0.34W. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 200A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation VCE(sat): 0.75V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V...

0.61€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 70
BCY59-9

BCY59-9

Transistor NPN BCY59-9, TO-18, 200mA. Boîtier: TO-18. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-206AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Marquage du fabricant: BCY59-9. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.53€
Quantité en stock: 140
BD135

BD135

Transistor NPN BD135, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, TO-126, 45V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Fréquence: 50MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 12W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Type de transistor: NPN...

0.30€
+75 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 181
BD135-16

BD135-16

Transistor NPN BD135-16, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 45V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126 plastic. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. FT: 50 MHz. Fonction: Amplificateurs et applications audio. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

0.25€
Quantité en stock: 139
BD139

BD139

Transistor NPN BD139, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 50MHz. Fréquence: 50MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 63. Ic(puls): 3A. Marquage du fabricant: BD139. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 12W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 80V...

0.44€
+1697 rapidement
Quantité en stock: 328
BD139-10

BD139-10

Transistor NPN BD139-10, TO-126, 1.5A. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BD139-10. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.59€
Quantité en stock: 2709
BD139-16

BD139-16

Transistor NPN BD139-16, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Courant maximum 1: 1.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 50MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE min.: 100. Gain hFE mini: 100. Gain hfe: 40...250. Ic(puls): 3A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD139-16. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 12.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140-16. Série: BD. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Vcbo: 80V...

0.34€
+3922 rapidement
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Quantité en stock: 296
BD139-16-CDIL

BD139-16-CDIL

Transistor NPN BD139-16-CDIL, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126 plastic. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.23€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 369
BD139-CDIL

BD139-CDIL

Transistor NPN BD139-CDIL, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126 plastic. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.23€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 88
BD159

BD159

Transistor NPN BD159, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO126, 375V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 375V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20W. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

0.46€
Quantité en stock: 178
BD179G

BD179G

Transistor NPN BD179G, TO-225, 3mA. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.03W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Marquage du fabricant: BD179G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.54€
Quantité en stock: 337
BD237

BD237

Transistor NPN BD237, TO-126 (TO-225, SOT-32), 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Bande passante MHz: 3MHz. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Courant maximum 1: 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE min.: 25. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 6A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD237. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD238. Série: BD. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V...

0.47€
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Quantité en stock: 105
BD237-CDIL

BD237-CDIL

Transistor NPN BD237-CDIL, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD238. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V...

0.44€
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Quantité en stock: 76