Transistor NPN BD139-10, TO-126, 1.5A

Transistor NPN BD139-10, TO-126, 1.5A

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Transistor NPN BD139-10, TO-126, 1.5A. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BD139-10. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
BD139-10
12 paramètres
Boîtier
TO-126
Courant de collecteur Ic [A], max.
1.5A
Boîtier (norme JEDEC)
SOT-32
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Dissipation maximale Ptot [W]
12.5W
Famille de composants
transistor de puissance NPN
Marquage du fabricant
BD139-10
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Température maxi
+150°C.
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
80V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics