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2N2222A

Transistor NPN 2N2222A, TO-18 ( TO-206 ), 600mA, 0.8A, TO-18, 40V. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. C (in): 25pF. C (out): 8pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 600mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. FT: 300 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Sw And Linear Application, DC And VHF Amplifier. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 250MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Marquage du fabricant: 2N2222A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Température maxi: +175°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tf(max): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

0.88€

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2N2222A-PL

Transistor NPN 2N2222A-PL, 0.8A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 250 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2N2907A. RoHS: oui. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

0.0836€

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2N3019

Transistor NPN 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. C (in): 60pF. C (out): 12pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Commutation à haute vitesse. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Fréquence: 100MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 50. Marquage du fabricant: 2N3019. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 800mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension (collecteur - émetteur): 140V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V...

0.81€

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2N3904

Transistor NPN 2N3904, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92, 40V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Bande passante MHz: 270MHz. Boîtier (norme JEDEC): -. C (in): 8pF. C (out): 4pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 200mA. Courant maximum 1: 0.2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Transistor de commutation. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE min.: 30. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: 2N3904. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Série: 2N. Technologie: 'Epitaxial Planar Die Construction'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension base / collecteur VCBO: 60V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tf(max): 75 ns. Transistor Darlington?: non. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Standard. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.0430€

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2N4401

Transistor NPN 2N4401, TO-92, 0.6A, TO-92 ( Ammo Pack ), 40V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 6.5pF. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 0.6A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 0.9A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 2000. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

0.0597€

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2N5088

Transistor NPN 2N5088, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (in): 10pF. C (out): 4pF. Courant de collecteur Ic [A]: 50mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 625W. FT: 50 MHz. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Fréquence: 50MHz. Gain hFE maxi: 900. Gain hFE mini: 300. Gain hfe: 300...900. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 35V...

0.21€

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2N5210

Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Conditionnement: -. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 30 MHz. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 2000. Vcbo: 50V. Vebo: 4.5V...

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2N5551

Transistor NPN 2N5551, TO-92, 600mA, 0.6A, TO-92, 160V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (out): 6pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 600mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Ampli VIDEO.. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Fréquence: 100MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 80. Marquage du fabricant: 2N5551. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 160V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 6V...

0.0708€

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2N5886

Transistor NPN 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 500pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 50A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N5884. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

8.10€

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2N6284

Transistor NPN 2N6284, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 400pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 160W. FT: kHz. Fonction: hFE 750...180000. Gain hFE maxi: 18000. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 40A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Poids: 11.8g. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6287. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

10.36€

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2N6517

Transistor NPN 2N6517, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Fonction: -. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6520. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Vebo: 6V...

0.22€

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2SC1740

Transistor NPN 2SC1740, 0.15A, TO-92, TO-92S ( SPT SC-72 ), 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92S ( SPT SC-72 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 3.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: C1710. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 7V...

0.98€

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2SC1841

Transistor NPN 2SC1841, 0.05A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 1.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 1200. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: C1841. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -...+125°C. Température: +125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.07V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

0.92€

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2SC1845

Transistor NPN 2SC1845, 50mA, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 1.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Equivalences: KSC1845. FT: 110 MHz. Fonction: Amplificateur audio HI-FI. Gain hFE maxi: 580. Gain hFE mini: 150. Marquage sur le boîtier: C1845. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Samsung--0501-000354. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.07V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

0.90€

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2SC1846

Transistor NPN 2SC1846, 1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126B-A1, 35V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126B-A1. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. C (out): 20pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 5W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 340. Gain hFE mini: 85. Ic(puls): 1.5A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial planar type'. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V...

3.35€

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2SC1921

Transistor NPN 2SC1921, 0.05A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. FT: 130 MHz. Fonction: Sortie vidéo. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Triple Diffused'. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

0.34€

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2SC2240BL

Transistor NPN 2SC2240BL, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 350. Marquage sur le boîtier: C2240BL. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA970BL. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Température: +125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

2.03€

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2SC2240GR

Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: C224GR. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA970GR. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

0.74€

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2SC2344

Transistor NPN 2SC2344, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 30pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 100MHz. Fonction: Amplificateur de puissance AF à commutation haute tension. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 3A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1011. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 6V...

3.72€

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2SC2383

Transistor NPN 2SC2383, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 20pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 20 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Marquage sur le boîtier: C2383 Y. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1013. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 6V...

0.60€

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2SC2690A

Transistor NPN 2SC2690A, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 19pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 155 MHz. Fonction: HF. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 2.5A. Marquage sur le boîtier: C2690A Y. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1220A. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

1.39€

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2SC2705

Transistor NPN 2SC2705, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 1.8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 200 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 800mA. Marquage sur le boîtier: C2705. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 9mm. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1145. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 5V...

1.22€

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2SC3199

Transistor NPN 2SC3199, TO-92, 150mA, 150mA, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Boîtier (norme JEDEC): -. C (out): 3.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. FT: 80 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 70. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: remplacement KTA1267. Température maxi: -.. Température: +125°C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.56€

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2SC3263

Transistor NPN 2SC3263, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 130W. FT: 60 MHz. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1294. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Vebo: 5V...

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