Transistor NPN 2N6517, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V

Transistor NPN 2N6517, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.22€
5-49
0.18€
50-99
0.16€
100-199
0.14€
200+
0.12€
Quantité en stock: 345

Transistor NPN 2N6517, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Fonction: -. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6520. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:35

Documentation technique (PDF)
2N6517
22 paramètres
Courant de collecteur
0.5A
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension collecteur/émetteur Vceo
350V
C (out)
6pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.625W
FT
40MHz (min), 200MHz (max)
Gain hFE maxi
200
Gain hFE mini
20
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2N6520
Technologie
Transistor au silicium épitaxial NPN
Tension de saturation VCE(sat)
0.3V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
1V
Type de transistor
NPN
Vcbo
350V
Vebo
6V
Produit d'origine constructeur
Fairchild