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2SD718

2SD718

Transistor NPN 2SD718, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 12 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB688. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

3.31€
Quantité en stock: 57
2SD863

2SD863

Transistor NPN 2SD863, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 150 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB764. Type de transistor: NPN...

0.61€
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2SD880-PMC

2SD880-PMC

Transistor NPN 2SD880-PMC, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 30W. FT: 3 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

0.94€
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Quantité en stock: 8
2SD947

2SD947

Transistor NPN 2SD947, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Dissipation de puissance maxi: 5W. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 4000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-126. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN...

3.35€
Quantité en stock: 5
2SD965

2SD965

Transistor NPN 2SD965, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. FT: 150 MHz. Fonction: amplificateur de sortie AF. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 340. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 7V...

0.26€
Quantité en stock: 29
2SD969

2SD969

Transistor NPN 2SD969, D8/C, 500mA. Boîtier: D8/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V...

0.44€
Quantité en stock: 6
3DD13009K

3DD13009K

Transistor NPN 3DD13009K, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 4 MHz. Fonction: Fast-switching. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: D13009K. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tf(max): 0.7us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

1.87€
Quantité en stock: 184
3DD209L

3DD209L

Transistor NPN 3DD209L, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 120W. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: D209L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tf(min): 0.7us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V...

1.79€
Quantité en stock: 10
AT-32032-BLKG

AT-32032-BLKG

Transistor NPN AT-32032-BLKG, SOT-323, 40mA. Boîtier: SOT-323. Courant de collecteur Ic [A], max.: 40mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2.4GHz. Marquage du fabricant: 32. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 5.5V...

1.77€
Quantité en stock: 2194
BC107C

BC107C

Transistor NPN BC107C, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

0.95€
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Quantité en stock: 50
BC109C

BC109C

Transistor NPN BC109C, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (out): 4.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v...

0.62€
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Quantité en stock: 62
BC182B

BC182B

Transistor NPN BC182B, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 350mW. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 240. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

0.16€
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Quantité en stock: 1062
BC182LB

BC182LB

Transistor NPN BC182LB, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 240. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: ( E,C,B ). RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V...

0.17€
Quantité en stock: 3863