Transistor NPN 2SD712, 4A, 100V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Dissipation de puissance maxi: 30W. FT: 8 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB682. Type de transistor: NPN. Produit d'origine constructeur: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45