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2SD1802

2SD1802

Transistor NPN 2SD1802, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 25pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation à haute intensité. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1202. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

0.78€
Quantité en stock: 7
2SD1804

2SD1804

Transistor NPN 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 180 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 12A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1204. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistors'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

3.30€
Quantité en stock: 3
2SD1825

2SD1825

Transistor NPN 2SD1825, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 20 MHz. Fonction: 'driver'. Gain hFE maxi: 5000. Gain hFE mini: 2000. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 70V...

0.85€
Quantité en stock: 25
2SD1878

2SD1878

Transistor NPN 2SD1878, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 60W. FT: kHz. Fonction: Amplificateur de sortie de déflexion horizontale TV couleur.. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V...

3.31€
Quantité en stock: 11
2SD1941

2SD1941

Transistor NPN 2SD1941, M31/C, 6A, 6A, 650V. Boîtier: M31/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: TV/HA (F). Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/650V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

3.17€
+1 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 8
2SD1996R

2SD1996R

Transistor NPN 2SD1996R, 0.5A, TO-92, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. FT: 200 MHz. Fonction: Io-sat DC/DC. Gain hFE maxi: 350. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

0.91€
Quantité en stock: 3
2SD200

2SD200

Transistor NPN 2SD200, TO-3, 2.5A, 2.5A, 1500V. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2.5A. Courant de collecteur: 2.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 10W. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: TV-HA. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1.5 kV. Type de transistor: NPN...

12.61€
Quantité en stock: 2
2SD2012

2SD2012

Transistor NPN 2SD2012, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10R1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 35pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): -. Marquage sur le boîtier: D2012. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1366. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 7V...

1.73€
Produit obsolète
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2SD2061

2SD2061

Transistor NPN 2SD2061, TO-220, 3A, 3A, TO-220, 80V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 30W. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. FT: 8 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: transistor à boîtier isolé. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V/60V. Type de transistor: NPN...

1.23€
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Quantité en stock: 18
2SD2089

2SD2089

Transistor NPN 2SD2089, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Courant de collecteur: 3.5A. Boîtier: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: CTV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.50€
Quantité en stock: 30
2SD2222

2SD2222

Transistor NPN 2SD2222, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 20 MHz. Fonction: Optimal pour une sortie Hi-Fi de 120W. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 3500. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: 'Triple diffusion planar type darlington'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

8.49€
Quantité en stock: 14
2SD2331

2SD2331

Transistor NPN 2SD2331, 3A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 600V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IBp=2A. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.43€
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2SD2375

2SD2375

Transistor NPN 2SD2375, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. FT: 50MHz. Fonction: Amplification de puissance avec courant direct élevé. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Résistance B: -. Résistance BE: -. Technologie: 2.37k Ohms. Température: +150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

3.98€
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Quantité en stock: 3