Transistor NPN 2SD1933, 4A, 80V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: transistor à boîtier isolé. Gain hFE mini: 3000. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: =3000. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1342. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Produit d'origine constructeur: ROHM. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45