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2SD1047

2SD1047

Transistor NPN 2SD1047, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 140V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. C (out): 120pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 15 MHz. Fonction: amplificateurs de puissance audio, convertisseurs DC-DC. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB817. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 6V...

2.38€
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2SD1062

2SD1062

Transistor NPN 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 10 MHz. Fonction: onduleurs à grande vitesse, convertisseurs, basse saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: D1062. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB826. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

1.20€
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2SD110

2SD110

Transistor NPN 2SD110, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. C (out): 200pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 1 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 130V. Vebo: 10V...

3.76€
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2SD1133

2SD1133

Transistor NPN 2SD1133, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Gain hFE maxi: 230. Gain hFE mini: 60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 70V...

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2SD1207

2SD1207

Transistor NPN 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 150 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 4A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB892. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

0.81€
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2SD1279

2SD1279

Transistor NPN 2SD1279, TO-3, 10A. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Marquage du fabricant: 2SD1279. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 600V...

10.73€
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2SD1398

2SD1398

Transistor NPN 2SD1398, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 3 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

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2SD1398-SAN

2SD1398-SAN

Transistor NPN 2SD1398-SAN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 3 MHz. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Triple Diffused Planar'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tf(max): 0.7us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 7V...

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2SD1402

2SD1402

Transistor NPN 2SD1402, 5A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.34€
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2SD1428

2SD1428

Transistor NPN 2SD1428, M46/J, 6A, 6A, 600V. Boîtier: M46/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 80W. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: TV-HA. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: Rbe 50 Ohms. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/600V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.48€
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2SD1439

2SD1439

Transistor NPN 2SD1439, M31/J, 3A, 3A, 1500V. Boîtier: M31/J. Courant de collecteur: 3A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1.5 kV. Type de transistor: NPN...

3.08€
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2SD1455

2SD1455

Transistor NPN 2SD1455, M31/J, 5A, 5A, 600V. Boîtier: M31/J. Courant de collecteur: 5A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/600V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

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