Transistor NPN 2SD1279, TO-3, 10A

Transistor NPN 2SD1279, TO-3, 10A

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Transistor NPN 2SD1279, TO-3, 10A. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Marquage du fabricant: 2SD1279. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 600V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:16

2SD1279
12 paramètres
Boîtier
TO-3
Courant de collecteur Ic [A], max.
10A
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Dissipation maximale Ptot [W]
50W
Famille de composants
transistor NPN haute tension
Fréquence de coupure ft [MHz]
3 MHz
Marquage du fabricant
2SD1279
Nombre de bornes
3
RoHS
non
Température maxi
+150°C.
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
600V
Produit d'origine constructeur
Toshiba