Transistor NPN 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V

Transistor NPN 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.18€
5-24
1.01€
25-49
0.89€
50+
0.76€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 16

Transistor NPN 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 10 MHz. Fonction: onduleurs à grande vitesse, convertisseurs, basse saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: D1062. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB826. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur: Sanyo. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:53

Documentation technique (PDF)
2SD1062
24 paramètres
Courant de collecteur
12A
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
Dissipation de puissance maxi
40W
FT
10 MHz
Fonction
onduleurs à grande vitesse, convertisseurs, basse saturation
Gain hFE maxi
280
Gain hFE mini
70
Ic(puls)
15A
Marquage sur le boîtier
D1062
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SB826
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.4V
Tf(max)
1.2us
Tf(min)
0.4us
Type de transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Produit d'origine constructeur
Sanyo

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