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STTH30R06CW

STTH30R06CW

Diode STTH30R06CW, 15A, 60.4k Ohms, TO-247, TO-247, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement haute tension ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS. Structure diélectrique: Cathode commune. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 20 ns...

9.43€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 11
STTH30R06W

STTH30R06W

Diode STTH30R06W, 30A, 300A, TO-247, TO-247, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement haute tension ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.85V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

4.57€
Quantité en stock: 14
STTH30R03CG

STTH30R03CG

Diode STTH30R03CG, 15A, 60.4k Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 300V. IF(AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. VRRM: 300V. Fonction: diode ultra-rapide à haut rendement. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms. Structure diélectrique: Cathode commune. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 20 ns...

4.67€
Quantité en stock: 114
1N4148AMMO

1N4148AMMO

Diode 1N4148AMMO, DO-35, 0.1A. Boîtier: DO-35. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Ifsm [A]: 2A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA...

0.0770€
Quantité en stock: 114376
Minimum: 10
1N4149TR

1N4149TR

Diode 1N4149TR, DO-35, 0.5A. Boîtier: DO-35. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.5A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA...

0.14€
Quantité en stock: 10450
Minimum: 5
1N4448GEG

1N4448GEG

Diode 1N4448GEG, DO35. Boîtier: DO35. Courant d'impulsion max.: 4A. Courant: 0.5A, 150mA. Montage/installation: THT. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.5W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 4ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 100V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de commutation...

0.24€
Quantité en stock: 1000