Diode 1N4448GEG, DO35. Boîtier: DO35. Courant d'impulsion max.: 4A. Courant: 0.5A, 150mA. Montage/installation: THT. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.5W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 4ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 100V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de commutation. Produit d'origine constructeur: DC Components. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:42