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40HF120

Diode 40HF120, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1200V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1200V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

MBR10200CT

Diode MBR10200CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 200V. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. IRM (max): 0.2mA. IRM (min): 0.2mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.99V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V...

MEE75-12DA

Diode MEE75-12DA, 75A, 1200A, TO-240, TO-240AA, 1200V. IF(AV): 75A. IFSM: 1200A. Boîtier: TO-240. Boîtier (selon fiche technique): TO-240AA. VRRM: 1200V. Fonction: Module de diodes. 'Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: module de 2 diodes. RoHS: oui. Spec info: isolation 3600V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.58V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

SKN45-16

Diode SKN45-16, E12 (M8), SO-32B, 50A. Boîtier: E12 (M8). Boîtier (norme JEDEC): SO-32B. If [A]: 50A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 700A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +180°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.6 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.6V @ 150A...

SKR45-16

Diode SKR45-16, E12 (M8), SO-32B, 50A. Boîtier: E12 (M8). Boîtier (norme JEDEC): SO-32B. If [A]: 50A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 700A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +180°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.6 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.6V @ 150A...

STTA506F

Diode STTA506F, 5A, 55A, TO-220FP, ISOWATT TO-220AC, 600V. IF(AV): 5A. IFSM: 55A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT TO-220AC. VRRM: 600V. Fonction: Ultra-fast diode. IRM (max): 0.75mA. IRM (min): 100uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. Trr Diode (Min.): 20 ns...

VS-85HF120

Diode VS-85HF120, DO-5 (1/4-28 UNF-2A), DO-203AB, 85A. Boîtier: DO-5 (1/4-28 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AB. If [A]: 85A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 9mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 1700A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +180°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 267A...

1N4448WS

Diode 1N4448WS...

1N4151

Diode 1N4151, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 2A, DO-35, 75V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 75V. Courant d'impulsion max.: 2A. Courant: 0.5A. Fonction: diode de commutation ultra-rapide, Ifsm 1us 2A. IRM (max): 50nA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.5W. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 4ns. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Tension inverse maxi: 75V. Trr Diode (Min.): 2 ns. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de commutation...

BAW56W

Diode BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V. Boîtier: SOT-323. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 200mA. If [A]: 0.15A. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT323. VRRM: 85V. Cj: 2pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 30nA..150uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: Ultra High Speed Switching. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Ifsm [A]: 4A. Marquage sur le boîtier: A1. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS A1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Structure diélectrique: anode commune. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 90V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA...

1N5405

Diode 1N5405, DO-201, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 500V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

1N5711W-7-F

Diode 1N5711W-7-F, 15mA, SOD-123, SOD123, 70V. IF(AV): 15mA. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Dimensions: 2.85x1.7x1.35mm. Fonction: détection VHF/UHF. IRM (max): 0.2uA. Marquage sur le boîtier: SA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode SCHOTTKY. RoHS: oui. Spec info: f=1MHz 2pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V...

1N5819HW-7-F

Diode 1N5819HW-7-F, 1A, 25A, SOD-123, SOD123 ( 2.85x1.7mm ), 40V. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 50pF. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 1.5mA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SL. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Puissance: 450mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.32V...

BAR43C

Diode BAR43C, SOT-23, 0.1A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant d'impulsion max.: 750mA, 0.75A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA..100uA. Courant: 200mA, 0.1A, 0.2A. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 0.75A. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 3. Puissance: 290mW. RoHS: oui. Temps de réaction: 5ns. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension inverse maxi: 30V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.45V @ 15mA...

BAS16LT1G

Diode BAS16LT1G, SOT-23, 100V, 0.2A, 0.2A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. VRRM: 100V. Courant redressé moyen par diode: 0.2A. If [A]: 0.2A. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite inverse: 1uA / 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..30uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 36A. Information: -. MSL: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Série: BAS. Temps de récupération inverse (max): 6ns. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Tension de seuil maxi: 1.25V / 0.15A. Type de diode: Switching. Type de montage: SMD. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 6 ns. [V]: 0.855V @ 50mA...

BAS70-04LT1G

Diode BAS70-04LT1G, SOT-23, 0.07A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.07A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..10uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 0.1A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 10mA...

BAT42WS

Diode BAT42WS...

BAT85

BY203-20S

Diode BY203-20S, 0.25A, 20A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass passivated, 2000V. IF(AV): 0.25A. IFSM: 20A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 2000V. Diode Tff(25°C): 300 ns. IRM (max): 2uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.4V...

BY500-100

ER1B

ER1G

ER1M

FM14

Diode FM14...