Diode MBR10200CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 200V

Diode MBR10200CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.75€
5-49
1.45€
50-99
1.33€
100+
1.18€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7

Diode MBR10200CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 200V. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. IRM (max): 0.2mA. IRM (min): 0.2mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.99V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
MBR10200CT
19 paramètres
IF(AV)
10A
IFSM
60.4k Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AC-3P
VRRM
200V
Fonction
Double diode de redressement à barrière Schottky
IRM (max)
0.2mA
IRM (min)
0.2mA
Matériau semi-conducteur
Sb
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Spec info
Ifsm 120A (t=8.3ms)
Structure diélectrique
Cathode commune
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de seuil Vf (max)
0.99V
Tension de seuil Vf (min)
0.87V
Produit d'origine constructeur
Taiwan Semiconductor

Produits équivalents et/ou accessoires pour MBR10200CT