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70HF160

Diode 70HF160, 70A, 110A, 1200A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1600V. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1600V. Conditionnement: -. IRM (max): 4.5mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Unité de conditionnement: 100dB. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

70HF80

Diode 70HF80, 70A, 110A, 1200A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 800V. Conditionnement: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: Fixation filetée. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+180°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Unité de conditionnement: 100dB...

70HFR160

Diode 70HFR160, 70A, 110A, 1200A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1600V. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1600V. Conditionnement: -. IRM (max): 4.5mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM 1000App / 10ms (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Unité de conditionnement: 100dB. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

70HFR80

Diode 70HFR80, 70A, 110A, 1200A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 800V. Conditionnement: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -65...+180°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Unité de conditionnement: 100dB. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

1N4935

Diode 1N4935, 1A, 30A, DO-41, DO41, 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO41. VRRM: 200V. Cj: 15pF. Fonction: Commutation rapide pour un rendement élevé. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. RoHS: oui. Spec info: 30App/8.3ms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

1N5062

Diode 1N5062, 2A, 50A, DO-15, DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm, 800V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm. VRRM: 800V. Fonction: Silicon Rectifier. IRM (max): uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

1N5309

Diode 1N5309, 3.3mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 100V. IF(AV): 3.3mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Fonction: Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode tunnel...

80EBU04

Diode 80EBU04, 80A, 800A, POWERTAB, 400V. IF(AV): 80A. IFSM: 800A. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 50pF. Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.92V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

80SQ05

893-399016AB

Diode 893-399016AB, 2A, 50A, DO-204, DO-204AP, 50V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AP. VRRM: 50V. Cj: 15pF. Fonction: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. IRM (max): 5uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: RG2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: SAMSUNG. RoHS: oui. Spec info: IFMS 50Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

BA157

BAR43A

BAS16

BAS16GEG

Diode BAS16GEG, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 4A. Courant: 100mA. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation rapide. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 4ns, 6ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1V, 1.25V. Tension inverse maxi: 100V, 75V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

BAS16LT-1

Diode BAS16LT-1, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), 318–08, SOT–23 (TO–236AB), 75V. IF(AV): 200mA. IFSM: 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Cj: 2pF. Fonction: diode de commutation. IRM (max): 50uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: A6s. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS A6s, A6t. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 715mV. Trr Diode (Min.): 6 ns...

BAS19GEG

Diode BAS19GEG, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 2.5A. Courant: 200mA, 0.625A. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.25W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 120V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

BAS20

Diode BAS20, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 2.5A. Courant: 200mA, 0.625A. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.25W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 6ns, 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1.25V. Tension inverse maxi: 200V. Type d'élément semi-conducteur: diode...

BAS21

Diode BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V. IF(AV): 200mA. IFSM: 625mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Cj: 5pF. Fonction: Diode de commutation haute tension. IRM (max): 100uA. IRM (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: JS. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS JS. RoHS: oui. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

BAS21-215

Diode BAS21-215, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 2.5A. Courant: 200mA, 0.625A. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.25W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 250V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

BAS28

Diode BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V. Boîtier: SOT-143. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 215mA. If [A]: 0.215A. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 30nA..50uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: Commutation à haute vitesse. Ifsm [A]: 4A. Marquage sur le boîtier: JTp. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.. Structure diélectrique: Indépendant. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 85V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA...

BAS316

Diode BAS316, 0.5A, 1A, SOD-323, SOD-323, 85V. IF(AV): 0.5A. IFSM: 1A. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Date de production: 2014/22. Fonction: Diode haute vitesse. Marquage sur le boîtier: A6. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Trr Diode (Min.): 4 ns...

BAS34

Diode BAS34, 0.2A, 2A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 70V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 3pF. Fonction: -. IRM (max): 0.5uA. IRM (min): 1nA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V...

BAS40

Diode BAS40, 0.2A, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 43. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...

BAS40-02

Diode BAS40-02, 120mA, 0.6A, SOD-523, SOD-523, 40V. IF(AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOD-523. Boîtier (selon fiche technique): SOD-523. VRRM: 40V. Cj: 4pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: .W. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...