Diode 893-399016AB, 2A, 50A, DO-204, DO-204AP, 50V

Diode 893-399016AB, 2A, 50A, DO-204, DO-204AP, 50V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.50€
5-24
0.47€
25-49
0.45€
50+
0.43€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 5

Diode 893-399016AB, 2A, 50A, DO-204, DO-204AP, 50V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AP. VRRM: 50V. Cj: 15pF. Fonction: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. IRM (max): 5uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: RG2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: SAMSUNG. RoHS: oui. Spec info: IFMS 50Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Produit d'origine constructeur: General Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:27

893-399016AB
23 paramètres
IF(AV)
2A
IFSM
50A
Boîtier
DO-204
Boîtier (selon fiche technique)
DO-204AP
VRRM
50V
Cj
15pF
Fonction
GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER
IRM (max)
5uA
IRM (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
RG2A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
Remarque
SAMSUNG
RoHS
oui
Spec info
IFMS 50Ap
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température de fonctionnement
-65...+175°C
Tension de seuil Vf (max)
1.3V
Tension de seuil Vf (min)
1.3V
Trr Diode (Min.)
150 ns
Produit d'origine constructeur
General Semiconductor

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