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DSEI60-06A

DSEK60-06A

DSEP30-12A

HFA50PA60CPBF

LL4148

Diode LL4148, 12.7k Ohms, 0.2A, 2A, 0.15A, 0.15A, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 100V. Boîtier: 12.7k Ohms. IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. Boîtier (norme JEDEC): -. Courant redressé moyen par diode: 0.15A. If [A]: 0.15A. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant d'impulsion max.: 2A. Courant de fuite inverse: 5uA / 75V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 2A. Information: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.5W. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Série: LL4148. Temps de réaction: 4ns, 8ns. Temps de récupération inverse (max): 4ns. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Température maxi: +200°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Tension de seuil maxi: 1V / 10mA. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 100V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation. Type de montage: SMD. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA...

MBR10100

Diode MBR10100, TO-220, 10A, 150A, TO-220AC, 10A, TO-220A-2P, 100V. Boîtier: TO-220. IF(AV): 10A. IFSM: 150A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AC. If [A]: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A-2P. VRRM: 100V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100uA..5mA. Diode Schottky?: Schottky. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Fonction: Diode de redressement Schottky. IRM (max): 6mA. IRM (min): 0.1mA. Ifsm [A]: 150A. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.8V @ 10A...

MBR1560CT

Diode MBR1560CT, TO-220, 7.5A, TO-220AB, 2x7.5A, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220. IF(AV): 7.5A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. If [A]: 2x7.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 60V. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 150A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1mA..50mA. Courant: 15A. Diode Schottky?: Schottky. Double: double. Famille de composants: double diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Remarque: 15A/150App. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 0.84V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Tension de seuil: 840mV, 0.84V. Tension inverse maxi: 60V. Type de conditionnement: tubus. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 7.5A...

MBR2545CT

MBRS360T3G

Diode MBRS360T3G, DO-214, DO-214AB, 3A, 80A, 3A, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 60V. Boîtier: DO-214. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.03mA..3mA. Equivalences: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Fonction: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 60A. Marquage sur le boîtier: B36. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.74V. Tension de seuil Vf (min): 0.74V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.63V @ 3A...

TS4148RYG

Diode TS4148RYG, SMD 0805, 150mA, 0.15A, 500mA, 100V. Boîtier: SMD 0805. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 150mA. If [A]: 0.15A. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. Autre nom: IN4148. Cj: 4pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: Diodes haute vitesse. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Ifsm [A]: 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 100mA...

MMBD4148

Diode MMBD4148, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.2A, SOT-23-3, 100V. IF(AV): 0.2A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. If [A]: 0.2A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. VRRM: 100V. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..5uA. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Remarque: sérigraphie/code CMS A6. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA...

MURS120T3G

P600M

RHRP1560

RHRP860

RURG3020CC

RURG3060CC

RURP3060

S1M

S2M

S3M

SB160

SB260

Diode SB260, DO-15, DO-204AC, 2A, 50A, 2A, DO-15 ( 6.3x3.0mm ), 60V. Boîtier: DO-15. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. If [A]: 2A. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 60V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5mA..5mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Fonction: Diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 50A. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Tension de seuil Vf (max): 0.7V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 2A...

SB360