Diode RURP3060, TO-220, 30A, 325A, 30A, TO-220AC, 600V

Diode RURP3060, TO-220, 30A, 325A, 30A, TO-220AC, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.67€
5-9
2.45€
10-24
2.23€
25-49
2.03€
50+
1.74€
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Diode RURP3060, TO-220, 30A, 325A, 30A, TO-220AC, 600V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 30A. IFSM: 325A. If [A]: 30A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 250uA..1mA. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Fonction: Ultrafast Recovery Diode. Ifsm [A]: 325A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: pinout--1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 60 ns. [V]: 1.5V @ 30A. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:27

Documentation technique (PDF)
RURP3060
28 paramètres
Boîtier
TO-220
IF(AV)
30A
IFSM
325A
If [A]
30A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AC
VRRM
600V
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
250uA..1mA
Famille de composants
Diode de redressement rapide (tr<500ns)
Fonction
Ultrafast Recovery Diode
Ifsm [A]
325A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
pinout--1
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Température maxi
+175°C.
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
600V
Tension de seuil Vf (max)
1.5V
Tension de seuil Vf (min)
1.3V
Trr Diode (Min.)
60 ns
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
60 ns
[V]
1.5V @ 30A
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor