Transistor PNP TIP147T, 10A, TO-220, TO-220, 100V

Transistor PNP TIP147T, 10A, TO-220, TO-220, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.39€
5-24
2.11€
25-49
1.91€
50-99
1.77€
100+
1.56€
Quantité en stock: 542

Transistor PNP TIP147T, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 90W. Fonction: Transistor Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Résistance BE: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP142T. Technologie: Darlington monolithique. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51

Documentation technique (PDF)
TIP147T
25 paramètres
Courant de collecteur
10A
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension collecteur/émetteur Vceo
100V
Diode BE
non
Diode CE
oui
Dissipation de puissance maxi
90W
Fonction
Transistor Darlington de puissance complémentaire
Gain hFE maxi
1000
Gain hFE mini
500
Ic(puls)
20A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Résistance BE
R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms
Spec info
transistor complémentaire (paire) TIP142T
Technologie
Darlington monolithique
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
2V
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
PNP
Vcbo
100V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics