Transistor PNP BC857B, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, -45V, 45V, 100mA, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Bande passante MHz: 100MHz. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. FT: 150 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Gain hFE min.: 220. Gain hfe: 290. Ic(puls): 200mA. Information: -. Marquage du fabricant: 3F. Marquage sur le boîtier: 3F. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD KO0 3F. Série: BC. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 50V, 45V. Tension base / collecteur VCBO: -50V. Type de montage: SMD. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 20:34