Transistor PNP BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V

Transistor PNP BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V

Quantité
Prix unitaire
10-24
0.0469€
25-99
0.0323€
100-499
0.0270€
500+
0.0226€
Quantité en stock: 378
Minimum: 10

Transistor PNP BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 125. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3A. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:13

Documentation technique (PDF)
BC856A
23 paramètres
Courant de collecteur
100mA
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
65V
Dissipation de puissance maxi
0.25W
FT
100 MHz
Gain hFE maxi
250
Gain hFE mini
125
Ic(puls)
200mA
Marquage sur le boîtier
3A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
sérigraphie/code CMS 3A
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.075V
Type de transistor
PNP
Vcbo
80V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors
Quantité minimum
10