Transistor PNP BC327-25-AMMO, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V

Transistor PNP BC327-25-AMMO, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0415€
50-99
0.0368€
100-199
0.0324€
200+
0.0262€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 3360
Minimum: 10

Transistor PNP BC327-25-AMMO, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100 MHz. Fonction: hFE 160-400. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-25. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Diotec Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:56

Documentation technique (PDF)
BC327-25-AMMO
27 paramètres
Courant de collecteur
0.8A
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92 ( Ammo Pack )
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
C (out)
12pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.625W
FT
100 MHz
Fonction
hFE 160-400
Gain hFE maxi
400
Gain hFE mini
160
Ic(puls)
1A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) BC337-25
Technologie
'Epitaxial Planar Transistor'
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.7V
Type de transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Diotec Semiconductor
Quantité minimum
10

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