Transistor PNP 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 140 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: B647. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD667. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Renesas Technology. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:09